基板及其制作方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110323228A(43)申请公布日2019.10.11(21)申请号201810293281.2(22)申请日2018.03.30(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人高玟虎董婉俐(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人彭久云(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L23/60(2006.01)H01L21/70(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图8页(54)发明名称基板及其制作方法、电子装置(57)摘要一种基板及其制作方法、电子装置。该基板包括工作区域、位于工作区域周边的非工作区、衬底基板、周边电路和公共电极引线。衬底基板包括外轮廓边缘；周边电路设置于非工作区；公共电极引线沿衬底基板的至少部分外轮廓边缘设置；公共电极引线位于周边电路的靠近工作区域的一侧。该基板中，公共电极引线能够与公共电极直接接触以实现公共电极引线与公共电极电连接，从而能够减小信号由公共电极引线传导至公共电极的电路的电阻，并且应用该基板的电子装置能够具有较窄的边框。CN110323228ACN110323228A权利要求书1/2页1.一种基板，包括：工作区域、位于所述工作区域周边的非工作区；衬底基板，包括外轮廓边缘；周边电路，设置于所述非工作区；以及公共电极引线，沿所述衬底基板的至少部分外轮廓边缘设置；其中，所述公共电极引线位于所述周边电路的靠近所述工作区域的一侧。2.根据权利要求1所述的基板，还包括公共电极，其中，所述公共电极由所述工作区域延伸至所述非工作区；所述公共电极与至少部分所述公共电极引线直接接触，以实现所述公共电极与所述公共电极引线电连接。3.根据权利要求2所述的基板，还包括覆盖所述周边电路和所述公共电极引线的平坦层，其中，所述公共电极位于所述平坦层的远离所述衬底基板的一侧；所述平坦层包括暴露至少部分所述公共电极引线的过孔，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极引线接触。4.根据权利要求2所述的基板，其中，所述工作区域包括多个呈阵列分布的工作单元，每个所述工作单元包括：第一电极，设置于所述衬底基板上；功能层，设置于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧；第二电极，设置于所述功能层的远离所述衬底基板的一侧；其中，所述第二电极为所述公共电极。5.根据权利要求4所述的基板，还包括平坦层，其中，所述公共电极和所述公共电极引线位于所述平坦层的远离所述衬底基板的一侧，且所述公共电极与至少部分所述公共电极引线直接搭接。6.根据权利要求5所述的基板，其中，所述公共电极引线与所述第一电极同层设置。7.根据权利要求1-6任一所述的基板，还包括静电保护层，其中，所述静电保护层覆盖至少部分所述周边电路且与所述公共电极引线电连接。8.一种电子装置，包括权利要求1-7任一所述的基板。9.一种基板制作方法，所述基板包括工作区域和位于所述工作区域周边的非工作区，所述制作方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括外轮廓边缘；在所述非工作区中提供周边电路；以及沿所述衬底基板的至少部分外轮廓边缘形成公共电极引线；其中，所述公共电极引线位于所述周边电路的靠近所述工作区域的一侧。10.根据权利要求9所述的基板制作方法，还包括形成公共电极，其中，所述公共电极由所述工作区域延伸至所述非工作区，所述公共电极与至少部分所述公共电极引线直接接触以实现所述公共电极与所述公共电极引线电连接。11.根据权利要求10所述的基板制作方法，还包括形成平坦层，其中，所述平坦层覆盖所述周边电路和所述公共电极引线，所述公共电极位于所述平2CN110323228A权利要求书2/2页坦层的远离所述衬底基板的一侧；所述形成平坦层包括在所述平坦层中形成暴露至少部分所述公共电极引线的过孔，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极引线接触。12.根据权利要求10所述的基板制作方法，还包括：在所述工作区域形成多个呈阵列分布的工作单元；在每个所述工作单元中形成第一电极和设置于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧的功能层。13.根据权利要求12所述的基板制作方法，还包括形成平坦层，其中，所述公共电极和所述公共电极引线形成于所述平坦层的远离所述衬底基板的一侧，并且，所述公共电极与至少部分所述公共电极引线直接搭接。14.根据权利要求13所述的基板制作方法，其中，所述第一电极与所述公共电极引线通过同一工艺同时形成。15.根据权利要求9-14任一所述的基板制作方法，还包括形成静电保护层，其中，所述静电保护层覆盖至少部分所述周边电路且与所述公共电极引线电连接。3CN110323228A说明书1/10页基板及其制作方法、电子装置技