Si纳米线的制备方法与器件应用.docx
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Si纳米线的制备方法与器件应用.docx
Si纳米线的制备方法与器件应用随着纳米科技的发展,人们对纳米材料的研究日益深入,其中纳米线成为了重要的材料研究方向之一。纳米线因其微小的尺寸,高比表面积以及优异的电学、热学等特性,在光电子器件、传感器以及能源存储等领域具有重要应用价值。本文将从纳米线的制备方法和器件应用两方面进行分析和讨论。一、Si纳米线制备方法Si纳米线的制备方法主要包括物理法、化学法和生物法等多种方法。其中最常用的化学法的制备过程如下:首先,混合一定量的硅源和还原剂,将其溶解在适当的有机溶剂中得到前驱体溶液;其次,加入表面活性剂和助剂
纳米线围栅MOS器件及其制备方法.pdf
本发明提供了一种纳米线围栅MOS器件及其制备方法。该方法在形成纳米线堆叠之后,先采用覆盖性很强的化学气相沉积工艺将介电材料填充到相邻的纳米线之间具有凹槽,使介电材料能够具有很强的填充能力,从而包裹所述纳米线的鳍结构,然后再形成跨所述鳍结构的假栅,从而使假栅材料不会填充到纳米线之间的凹槽中,进而通过刻蚀去除凹槽中的介电材料,保证了栅堆叠与纳米线之间更好地接触,进而提高了器件的性能。并且,本申请通过先在纳米线之间的凹槽中填充上述介电材料,然后再形成假栅,有效避免了现有技术中凹槽中残留假栅材料的情况,有效地降低
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法.pdf
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中,并放入管式炉的中心加热;在加热过程中,通入惰性气体作为保护气,最终在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行,所制备的Si/NiSi核壳结构纳米线阵列具有极低的电阻率,在基于Si纳米线器件领域具有巨大的潜在应用价值。
Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法.pdf
本发明涉及一种Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl2的乙醇溶液中浸泡,取出后自然晾干,再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中,并放入管式炉的中心;向管式炉中通入惰性气体作为保护气体,管式炉内的压强为70Pa;将管式炉加热到温度为750℃,在温度为750℃下保温300分钟,在单晶硅基片上面得到Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行,所制备的Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列在基于Si纳米线
纳流体测试器件的制备方法.pdf
一种纳流体测试器件的制备方法,包括:在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层,形成侧墙;去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层;在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层;抛光表面,去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层;再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流