Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法.pdf
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相关资料
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法.pdf
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中,并放入管式炉的中心加热;在加热过程中,通入惰性气体作为保护气,最终在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行,所制备的Si/NiSi核壳结构纳米线阵列具有极低的电阻率,在基于Si纳米线器件领域具有巨大的潜在应用价值。
Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法.pdf
本发明涉及一种Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl2的乙醇溶液中浸泡,取出后自然晾干,再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中,并放入管式炉的中心;向管式炉中通入惰性气体作为保护气体,管式炉内的压强为70Pa;将管式炉加热到温度为750℃,在温度为750℃下保温300分钟,在单晶硅基片上面得到Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行,所制备的Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列在基于Si纳米线
核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法.pdf
本发明属于半导体纳米材料制备领域,尤其涉及一种核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法。本发明首先通过化学刻蚀法在单晶Si片上得到Si纳米线阵列,然后再通过浸泡含有Fe(NO)3的乙醇溶液,使得Si纳米线的表面吸附上Fe(NO)3,最后在高温炉中加热吸附有Fe(NO)3的Si纳米线阵列,使得Fe(NO)3热分解为Fe2O3,从而得到以Si为核,以Fe2O3为壳的核壳Si/Fe2O3纳米线阵列。
一种CdS/ZnO核壳结构纳米线的制备方法.pdf
本发明涉及一种CdS/ZnO核壳结构纳米线的制备方法,包括如下步骤:步骤1、在清洁的衬底表面制备籽晶层;步骤2、将步骤1获得的具有籽晶层的衬底置于高温管式炉中,以充分混合的高纯ZnO和C粉为反应源,将反应源温度升至900~950℃,衬底温度为600~650℃,制备得到ZnO纳米线阵列;步骤3、对ZnO纳米线进行表面硫化处理;步骤4、包裹CdS壳层结构。本发明的有益效果是:在ZnO纳米线表面进行硫化处理,过程简单,是对现有制备技术的改进。ZnO表面经硫化处理,形成S悬挂键,能够更有效的接受与沉积CdS分子,
具有微米管套纳米线结构的核/壳纤维及其制备方法.pdf
本发明属于具有微米与纳米复合结构的材料,特别涉及一种具有微米管套纳米线结构的核/壳纤维及其制备方法。所述的核/壳纤维是在具有微米级的中空管状结构的微米管的内部嵌套有独立的纳米线;所述的微米管材料和纳米线材料是相同或不相同的聚合物材料或无机氧化物材料。本发明的制备方法为三流体同轴静电纺丝法,是将三根不同粗细的不锈钢喷管同轴组装作为喷丝头,每根喷管内通过供液系统分别通入相应的液体进行复合电纺,形成三层核/壳结构的纤维;进一步将中层材料除去留下中空管状结构,获得“微米管套纳米线”结构的核/壳纤维。本发明提出的三