正装与倒装芯片的封装.docx

倒装芯片的封装
倒装芯片通常是功率芯片主要用来封装大功率LED(>1W)，正装芯片通常是用来进行传统的小功率φ3～φ10的封装。因此，功率不同导致二者在封装及应用的方式均有较大的差别，主要区别有如下几点：
1.封装用原材料差别：
金线支架荧光粉胶水散热设计正装小芯片φ0.8～φ0.9mil直插式YAG环氧树脂无倒装芯片φ1.0～φ1.25milDomePowerYAG或硅酸盐荧光粉硅胶散热基板2．封装制程区别：
(1).固晶：正装小芯片采取在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片，而倒装芯片多采用导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连，且本身支架基座通常为导热系数较高的铜材；
(2).焊线：正装小芯片通常封装后驱动电流较小且发热量也相对较小，因此采用正负电极各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金线与支架正负极相连即可；而倒装功率芯片驱动电流一般在350mA以上，芯片尺寸较大，因此为了保证电流注入芯片过程中的均匀性及稳定性，通常在芯片正负级与支架正负极间各自焊接两根φ1.0～φ1.25mil的金线；
(3).荧光粉选择：正装小芯片一般驱动电流在20mA左右，而倒装功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用过程中各自的发热量相差甚大，而现在市场通用的荧光粉主要为YAG，YAG自身耐高温为127℃左右，而芯片点亮后，结温(Tj)会远远高于此温度，因此在散热处理不好的情况下，荧光粉长时间老化衰减严重，因此在倒装芯片封装过程中建议使用耐高温性能更好的硅酸盐荧光粉；
(4).胶体的选择：正装小芯片发热量较小，因此传统的环氧树脂就可以满足封装的需要；而倒装功率芯片发热量较大，需要采用硅胶来进行封装；硅胶的选择过程中为了匹配蓝宝石衬底的折射率，建议选择折射率较高的硅胶(>1.51)，防止折射率较低导致全反射临界角增大而使大部分的光在封装胶体内部被全反射而损失掉；同时，硅胶弹性较大，与环氧树脂相比热应力比环氧树脂小很多，在使用过程中可以对芯片及金线起到良好的保护作用，有利于提高整个产品的可靠性；
(5).点胶：正装小芯片的封装通常采用传统的点满整个反射杯覆盖芯片的方式来封装，而倒装功率芯片封装过程中，由于多采用平头支架，因此为了保证整个荧光粉涂敷的均匀性提高出光率而建议采用保型封装(Conformal-Coating)的工艺；示意图如下：

(6).灌胶成型：正装芯片通常采用在模粒中先灌满环氧树脂然后将支架插入高温固化的方式；而倒装功率芯片则需要采用从透镜其中一个进气孔中慢慢灌入硅胶的方式来填充，填充的过程中应提高操作避免烘烤后出现气泡和裂纹、分层等现象影响成品率；
(7).散热设计：正装小芯片通常无额外的散热设计；而倒装功率芯片通常需要在支架下加散热基板，特殊情况下在散热基板后添加风扇等方式来散热；在焊接支架到铝基板的过程中建议使用功率<30W的恒温电烙铁温度低于230℃，停留时间<3S来焊接；
(8).封装后成品示意图：

APT芯片使用说明

一.18mil芯片：
1．芯片(硅板)尺寸：826μmx826μm，芯片整体厚度：360±10μm
2．芯片打线示意图：

3．焊盘材料：Al焊盘厚度：1μm
4．使用金线：≥φ1.0mil，正负极各打一根金线即可；
5．封装注意事项：
(1).建议使用直插式支架
(2).使用银胶，并用量稍微多一些，避免固晶不牢或接触不良影响导热；
(3).白光封装建议提高YAG荧光粉与环氧树脂的配比(9～12%，正白光)，点胶水成“微凸”
即可，如不调整比例在封装过程极易出现溢胶现象；
6．驱动电流：120mA
二.24mil芯片：
1．芯片(硅板)尺寸：1300μmx820μm，芯片整体厚度：360±10μm
2．芯片打线示意图：

3．焊盘材料：Al焊盘厚度：1μm
4．使用金线：≥φ1.25mil，正负极各打一根或两根金线即可；
5．封装注意事项：
(1).建议使用直插式支架或domepower支架(带铝基板)
(2).使用银胶，银胶请在硅板下并列点两点，并用量稍微多一些，避免固晶不牢或接触不良
影响导热；
(3).白光封装建议提高YAG荧光粉与环氧树脂的配比(直插式：9～12%，正白光；dome
power:7%左右，正白光)，点胶水成“微凸”即可，直插式如不调整比例在封装过程极易
出现溢胶现象；
6．驱动电流：150mA
三.40mil芯片：
1．芯片(硅板)尺寸：1910μmx820μm，芯片整体厚度：360±10μm
2．芯片打线示意图：

3．焊盘材料：Al焊盘厚度：1μm
4．使用金线：≥φ1.25mil，正负极各打两根金线即可；
5．封装注意事项：
(1).domepower支架(带铝基板)
(2).使用银胶，银胶请在硅板下并列点两点，并用量稍微多一些，避免固晶不牢或