倒装芯片器件封装.ppt
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倒装芯片器件封装技术倒装芯片(FlipChip)1.1什么是倒装芯片器件封装倒装芯片器件具有的特点1.2倒装芯片的优点1.3发展历史1.4实际应用2倒装芯片的工艺流程2.1几种典型的倒装芯片焊接工艺环氧树脂光固化法环氧树脂光固化法各向异性导电胶固化法各向异性导电胶固化法各向异性导电胶固化法超声热压倒装芯片焊接法超声热压倒装芯片焊接法超声热压倒装芯片焊接法再流倒装芯片焊接法(C4技术)再流倒装芯片焊接法(C4技术)再流倒装芯片焊接法(C4技术)2.2倒装芯片封装的关键技术2.2倒装芯片封装的关键技术蒸渡沉积
倒装芯片封装对MEMS器件性能的影响的任务书.docx
倒装芯片封装对MEMS器件性能的影响的任务书一、任务背景MEMS器件是一种微型电子机械系统,具有结构复杂、制造难度大、对环境要求高等特点,而器件封装是MEMS器件中至关重要的一个步骤。目前,MEMS器件封装主要采用的是常规芯片封装技术,存在封装体积大、信号阻抗不匹配、温度敏感等问题。而倒装芯片封装(FCI)则成为了一种备受关注的器件封装方式,FCI不仅可以降低器件封装体积,还可以提高器件的频率响应和稳定性,且可同时封装多种器件。本文将探讨倒装芯片封装对MEMS器件性能的影响。二、任务内容1.倒装芯片封装工
封装方法及倒装芯片封装结构.pdf
本发明提供一种封装方法及倒装芯片封装结构,所述封装方法包括如下步骤:提供一基板及一芯片,所述芯片的焊盘表面具有一第一金属柱;在所述基板上表面形成图形化的金属布线底层,所述金属布线底层具有多个金属垫;在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱,所述第二金属柱的高度大于所述第一金属柱的高度;将所述第一金属柱与所述第二金属柱焊接;塑封所述芯片、第一金属柱、第二金属柱及图形化的金属布线底层;去除所述基板,以使金属布线底层的金属垫下表面裸露,形成倒装芯片封装结构。本发明的优点在于,第二金属柱的高度大于芯片侧的第一金
正装与倒装芯片的封装.docx
倒装芯片的封装倒装芯片通常是功率芯片主要用来封装大功率LED(>1W),正装芯片通常是用来进行传统的小功率φ3~φ10的封装。因此,功率不同导致二者在封装及应用的方式均有较大的差别,主要区别有如下几点:1.封装用原材料差别:金线支架荧光粉胶水散热设计正装小芯片φ0.8~φ0.9mil直插式YAG环氧树脂无倒装芯片φ1.0~φ1.25milDomePowerYAG或硅酸盐荧光粉硅胶散热基板2.封装制程区别:(1).固晶:正装小芯片采取在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片,而倒装芯片多采用导热系数更高
倒装芯片封装技术概论.pdf
倒装芯片封装技术概论随着微电子技术的飞速发展,封装技术对于芯片的性能和可靠性有着至关重要的影响。倒装芯片封装技术作为一种先进的封装形式,在提高芯片性能、缩小封装体积、降低成本等方面具有明显优势,成为现代电子产品发展的关键技术之一。一、倒装芯片封装技术的概述倒装芯片封装技术是一种将芯片翻转过来进行封装的技术,其基本原理是通过凸点或凸块等连接器,将芯片的电路面与封装基板或引脚框架相连接,实现电气连接和机械固定。倒装芯片封装技术的特点在于其高度的集成化、小型化和可靠性,同时具有优良的散热性能和电气性能。二、倒装