用于非晶硅薄膜均匀镀膜的沉积夹具.pdf
一吃****春晓
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用于非晶硅薄膜均匀镀膜的沉积夹具.pdf
本发明涉及镀膜装置,尤其涉及用于非晶硅薄膜均匀镀膜的沉积夹具。本发明采取如下技术方案:包含一个以上的相邻分布的铝板,所述铝板两面的下方各自有一组高度相同的固定滚轮。所述一组以上的铝板之间距离相同。采用如上技术方案的本发明,具有如下有益效果:待镀膜的单面导电玻璃通过固定滚轮滚进去,固定即稳定,保证多组导电玻璃放置的一致性,保证非晶硅薄膜厚度的均一性,同时节省操作时间,提高产品质量。
多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法.pdf
一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板,电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓,电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖。由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住,因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上,而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后,将边缘端盖从电极板体上拆卸,然后将边缘端盖上的膜层进行清洗,清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着,有效增加反应盒的使用次数,降低清洗清洁的劳动强度,提高反应
用于非晶硅沉积的炉管底座.pdf
本发明揭露了一种用于非晶硅沉积的炉管底座,所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座,所述磁流体连接密封盖与基座支架,基座支架与基座连接,还包括支架盖板和固定块,所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间,遮盖住所述基座支架的上表面和侧面,所述固定块位于基座内,覆盖基座底部的开口,所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。本发明提供的用于非晶硅沉积的炉管底座,可以改善非晶硅沉积工艺中薄膜剥落状的颗粒缺陷的产生,提高产品良率。
设计喷洒气流以镀膜均匀硅薄膜.pdf
本发明主要目的是设计showerhead气流以镀膜均匀硅薄膜。其系统内部主要包含了入口端、抽真空腔、P.I.N型半导体制程腔、破真空腔及出口端。在每个腔体内都设有传动滚轮及真空Pump,及Slit?valve,而在制程腔内部则有加热装置、RF电极板,以及最重要的showerhead,以进行制程。
PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究.docx
PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究在现代半导体工业中,非晶硅薄膜是一种非常重要的材料,它可以被用于许多不同的领域,包括光伏电池、液晶显示器、电子纸和感应器等。然而,非晶硅薄膜中的均匀性是这些应用的一个关键参数,因为不均匀性会导致电学、光学和机械性能的变化。因此,控制非晶硅薄膜的均匀性是一项至关重要的研究任务。PECVD(等离子体增强化学气相沉积)是一种常见的非晶硅薄膜制备方法,其基本原理是在高频电场下,将气体解离成等离子体,在衬底表面沉积非晶硅薄膜。那么,如何控制PECVD制备的非晶硅薄膜均匀性