多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法.pdf

一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖。由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上，而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖从电极板体上拆卸，然后将边缘端盖上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应

2023-10-12

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非晶硅薄膜PECVD聚积装配.doc

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2024-09-18

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用于非晶硅薄膜均匀镀膜的沉积夹具.pdf

本发明涉及镀膜装置，尤其涉及用于非晶硅薄膜均匀镀膜的沉积夹具。本发明采取如下技术方案：包含一个以上的相邻分布的铝板，所述铝板两面的下方各自有一组高度相同的固定滚轮。所述一组以上的铝板之间距离相同。采用如上技术方案的本发明，具有如下有益效果：待镀膜的单面导电玻璃通过固定滚轮滚进去，固定即稳定，保证多组导电玻璃放置的一致性，保证非晶硅薄膜厚度的均一性，同时节省操作时间，提高产品质量。

2023-10-14

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PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究.docx

PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究在现代半导体工业中，非晶硅薄膜是一种非常重要的材料，它可以被用于许多不同的领域，包括光伏电池、液晶显示器、电子纸和感应器等。然而，非晶硅薄膜中的均匀性是这些应用的一个关键参数，因为不均匀性会导致电学、光学和机械性能的变化。因此，控制非晶硅薄膜的均匀性是一项至关重要的研究任务。PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是一种常见的非晶硅薄膜制备方法，其基本原理是在高频电场下，将气体解离成等离子体，在衬底表面沉积非晶硅薄膜。那么，如何控制PECVD制备的非晶硅薄膜均匀性

2024-11-06

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用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法.pdf

本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/S

2023-06-20

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