用于非晶硅沉积的炉管底座.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104419908A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.03.18(21)申请号201310407964.3(22)申请日2013.09.09(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人沈建飞陈腾宏(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.C23C16/24(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称用于非晶硅沉积的炉管底座(57)摘要本发明揭露了一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述磁流体连接密封盖与基座支架，基座支架与基座连接，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。本发明提供的用于非晶硅沉积的炉管底座，可以改善非晶硅沉积工艺中薄膜剥落状的颗粒缺陷的产生，提高产品良率。CN104419908ACN104419908A权利要求书1/1页1.一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述磁流体连接密封盖与基座支架，所述基座支架与基座连接，其特征在于，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。2.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述支架盖板和固定块通过固定螺丝与基座固定。3.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述支架盖板与所述基座一体成型。4.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述固定块与所述基座一体成型。5.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述支架盖板的直径为20cm～30cm。6.如权利要求5所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述支架盖板的厚度为2.0cm～5.5cm。7.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述固定块的直径为10cm～25cm。8.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述固定块的厚度为2cm～5cm。2CN104419908A说明书1/3页用于非晶硅沉积的炉管底座技术领域[0001]本发明涉及化学气相淀积设备，尤其是涉及一种用于非晶硅沉积的炉管底座。背景技术[0002]微机电系统（Micro-Electro-MechanicalSystems，简称MEMS）技术是一个全新的技术领域和产业，主要包括微型机构、微型传感器、微型执行器和相应的处理电路等几部分。[0003]与传统集成电路的制造相比，MEMS工艺中由于需要淀积的膜厚往往要厚很多，可以达到传统集成电路制造工艺的几十倍，导致更容易出现peelingdefect（薄膜剥落状的颗粒）。图1为采用低压化学气相淀积（LPCVD）淀积工艺的炉管（Furnace）设备的结构示意图。炉管设备通常包括反应腔室、反应气体源130、真空泵140。其中反应腔室包括反应腔体100、晶舟110和底座120，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖124、磁流体126、基座支架123、基座121以及基座121内的金属盖板122；参照图2，所述晶舟110和基座121上有螺孔，通过两个固定螺栓连接，所述基座支架123和基座121与基座内的金属盖板122上有螺孔，通过三个固定螺栓连接。[0004]通常，炉管设备的peelingdefect主要来自反应腔体上的薄膜剥落下来，这是由于在LPCVD的炉管在生产过程反应中，薄膜会逐渐沉积在反应腔体的内壁上。随着薄膜厚度的逐渐增加，这些沉积的薄膜在应力的影响下，会从反应腔体内壁上剥落下来，从而造成产品的缺陷。[0005]但是发明人在非晶硅工艺的沉积过程中发现即使排除反应腔体内壁上剥落下来的颗粒影响，还会在产品上发现peelingdefect，影响产品的质量和良率。发明内容[0006]本发明提供一种用于非晶硅沉积的炉管底座，用以改善非晶硅沉积过程中产生剥落颗粒引起产品缺陷的问题。[0007]发明人经过反复排查，发现多晶硅沉积过程中即使排除了反应腔体内壁的影响，依然会有大量peelingdefect，最终发现污染源来自现有的炉管底座的基座支架和金属盖板部分，发明人通过试验分析发现，沉积过程中会在底座的基座支架和金属盖板上形成沉积物，由于现有的基座支架和金属盖板都是金属材质，与非晶硅