蚀刻型铜基引线框架材料应用研究.docx
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蚀刻型铜基引线框架材料应用研究引言蚀刻型铜基引线框架材料是一种新型的高性能材料,具有优异的导电性、热导率和机械性能,广泛应用于电子、航空航天、汽车和机器制造等领域。本文旨在对蚀刻型铜基引线框架材料的制备技术、性能及应用进行研究和探讨。制备技术蚀刻型铜基引线框架材料制备的主要方法是电化学蚀刻和化学蚀刻。电化学蚀刻是利用电化学反应将铜板上的铜离子溶解掉,形成具有高精度和高性能的引线框架。化学蚀刻则是利用酸蚀剂或碱蚀剂对铜板进行精细蚀刻,得到一定精度和表面质量的引线框架。两种方法各有优缺点,可以根据具体需求选择
一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法.pdf
本发明提供了一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法,成分:Fe1.8‑2.4%、Zn0.8‑1.2%、P0.02‑0.05%、Mg0.01‑0.03%、Re0.01‑1.2%,余量为Cu和不可避免的杂质。与现有技术相比,本发明具有以下优点:1)合金元素在铜中的固溶量显著增大;2)晶粒大大细化、减少位错,使结构更加稳定;3)化学成分的显微偏析明显降低;4)晶体缺陷密度大大增加;5)形成了新的亚稳相结构;6)经时效处理后铜基体中第二相含量提高,弥散强度增大。本发明生产的引线框架用铜合金具有良好的耐磨性、
半导体引线框架蚀刻设备的制造方法.pdf
本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域,具体涉及半导体引线框架蚀刻设备的制造方法,以及通过所述半导体引线框架蚀刻设备,生产加工精密半导体引线框架的方法。具体包括由铜合金素材的清洗和表面粗化工艺、素材与感光干膜的贴合、采用激光设备通过掩模版对贴膜后素材曝光处理、显影、蚀刻、脱膜工艺以及各种电解金属工艺所组成。本发明的半导体引线框架蚀刻生产制造设备,为制备加工复杂精密半导体引线框架提供了切实可行的生产制造技术;通过本发明方法获得的具有表面粗糙度的半导体引线框架,蚀刻精密度高,其表面残留物大幅减少,
半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置.pdf
本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域,具体涉及半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置,这种半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置包括:相对设置的上显影槽和下显影槽;上显影槽的下部设置有若干上喷嘴,下显影槽的上部设置有若干下喷嘴,上喷嘴和下喷嘴错位相对,若干上喷嘴为阵列分布,一列上的上喷嘴呈W分布,若干下喷嘴为阵列分布,一列上的下喷嘴呈W分布;上显影槽和下显影槽设置有上下移动机构,上下移动机构包括竖向滑动杆、设于竖向滑动杆上的上连接块和下连接块。这种半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置具有能够多角
2020107230921一种引线框架的蚀刻工艺.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111668141A(43)申请公布日2020.09.15(21)申请号202010723092.1(22)申请日2020.07.24(71)申请人山东新恒汇电子科技有限公司地址255088山东省淄博市高新区中润大道187号(72)发明人朱林黄伟朱春阳刘松源马伟凯徐治段升红秦小波李昌文陈迅刘琪阮晓玲(74)专利代理机构淄博佳和专利代理事务所(普通合伙)37223代理人李坤(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)