一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115821107A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211613276.8(22)申请日2022.12.15(71)申请人安徽鑫科铜业有限公司地址241006安徽省芜湖市芜湖经济技术开发区凤鸣湖路21号(72)发明人侯骏唐松平罗宏伟刘烜黄贤兵殷瑞(74)专利代理机构芜湖安汇知识产权代理有限公司34107专利代理师任晨晨(51)Int.Cl.C22C9/00(2006.01)C22C1/03(2006.01)B22D11/124(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法(57)摘要本发明提供了一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法，成分：Fe1.8‑2.4％、Zn0.8‑1.2％、P0.02‑0.05％、Mg0.01‑0.03％、Re0.01‑1.2％，余量为Cu和不可避免的杂质。与现有技术相比，本发明具有以下优点：1)合金元素在铜中的固溶量显著增大；2)晶粒大大细化、减少位错，使结构更加稳定；3)化学成分的显微偏析明显降低；4)晶体缺陷密度大大增加；5)形成了新的亚稳相结构；6)经时效处理后铜基体中第二相含量提高，弥散强度增大。本发明生产的引线框架用铜合金具有良好的耐磨性、耐腐蚀性能、优良的热加工性，有利于生产制造，本发明产品合金价格相对较低，生产效率高。CN115821107ACN115821107A权利要求书1/1页1.一种蚀刻引线框架铜铸坯，其特征在于，所述蚀刻引线框架铜铸坯包括以下质量百分比成分：Fe1.8‑2.4％、Zn0.8‑1.2％、P0.02‑0.05％、Mg0.01‑0.03％、Re0.01‑1.2％，余量为Cu和不可避免的杂质。2.根据权利要求1所述的蚀刻引线框架铜铸坯，其特征在于，所述不可避免的杂质总量小于0.05wt％。3.根据权利要求1所述的蚀刻引线框架铜铸坯，其特征在于，所述不可避免的杂质为As、Sb、Bi、Pb、Sn、Ni元素中至少一种或几种。4.根据权利要求1所述的蚀刻引线框架铜铸坯，其特征在于，所述蚀刻引线框架铜铸坯的成分中，控制S含量在25ppm以下。5.根据权利要求1所述的蚀刻引线框架铜铸坯，其特征在于，所述蚀刻引线框架铜铸坯的抗拉强度为＞500MPa、硬度＞100Hv、电导率＞65％IACS、延伸率＞6.5％。6.一种权利要求1‑5任一项所述的蚀刻引线框架铜铸坯的生产方法，其特征在于，所述生产方法包括以下步骤：1)将电解铜加热熔化，再加入铜铁中间合金；2)待铜铁中间合金熔化后，加入所需铜磷中间合金质量的1/3的铜磷中间合金，保温；3)再加入镁单质、锌单质和稀土，熔化后，保温；4)再加入剩余的铜磷中间合金，全熔后，保温；5)浇铸。7.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤1)中，电解铜加热熔化，温度控制在1200‑1300℃。8.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤2)中所述保温，时间1‑3min。9.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤3)中所述保温，时间3‑5min。10.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤4)中所述保温，时间9‑11min。2CN115821107A说明书1/4页一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法技术领域[0001]本发明铜合金领域，具体涉及一种蚀刻引线框架铜铸坯及其生产方法。背景技术[0002]当今的时代是信息时代，电子信息工业的发展起着决定性的作用。而半导体器件正是这个支柱产业的基石，其中集成电路芯片是内部主要成分。其中，引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体，并作为导电介质连接外部电路、传送电信号，以及向外散发芯片工作时所产生的热量，所以成为其中极为关键的零部件。因此封装要求其必须具备高强度、高导电、导热性好及良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等一系列综合性能，因而对其所用材料的性能要求十分严格。[0003]近些年来，人们对Cu‑Fe系合金进行了相当深入的研究诞生了一大批实用型、满足IC框架多种性能要求的合金。而且由于工艺性能优良、价格低廉在IC框架制造中得到了广泛应用，是目前铜合金引线框架材料的主流合金。而生产的Cu‑Fe系合金的3个牌号中，C194合金是具有代表性的一种。[0004]但是目前生产的C194引线框架铜合金的存在合金组织不均匀、析出相细小弥散化等问题，产品导电率和强度、塑性等不能满足要求。[0005]现有技术中，2007年4月4日公开的公开号为CN1940104A的专利《引线框架用铜合金及其制造方法》，其公开的铜合金中的FE:2.0～2.6WT％,ZN:0.05～0.1WT％,P:0.01～0.03WT％,MG:0～0.05WT％,RE:0.01～1.5WT％,其制