大功率白光LED封装工艺研究.docx
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大功率白光LED的封装工艺研究.pdf
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1绪论1.1概述发光二极管Lightemittingdiode,简称(LED)是在半导体p-n结的地方施加正向电流时发出可见光、红外光、紫外光的半导体发光器件。多年来人类一直在寻找和开发固体发光光源(SolidStateLighting,SSL),随着发光材料的开发和半导体制作工艺的改进,在芯片生长过程中引入了分布式布拉格反射(DBR)的结构、光学微腔(RC)、以及量子阱结构(QW)等,使得半导体照明用的发光二极管发光效率不断提高[1],如图1.1所示。随着对Ⅲ-V族化合物材料的深入研究、金属有机物化学汽
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大功率白光LED封装工艺研究随着LED科技的进步,越来越多的家庭和工业领域开始采用LED灯具,无论是高质量的照明还是装饰性的用途都有所增加。然而,为了使LED灯更加高效,LED封装工艺的研究变得非常重要。在此文中,我们将注重研究大功率白光LED封装工艺,探讨其制造过程、优势和缺点,以及未来的发展方向。1.制造过程:LED灯产生光源的主要材料是氮化镓(GaN)和砷化铝(AlGaInP),这些化合物合成了异质结(PN结)。在生产大功率白光LED时,这些材料通过晶片的厚度和结构设计来优化灯的光效,发射角度和颜色
白光LED封装工艺.pdf
本发明公开了一种白光LED封装工艺,包括在LED晶片(2)上形成第一荧光粉层(3)的步骤和形成第二荧光粉层(4)的步骤,形成第二荧光粉层的步骤为:将第二荧光粉胶模封在第一荧光粉层(3)上,所述第二荧光粉胶包括第二荧光粉和第二胶体,所述第二荧光粉粒径小于1μm。所述第二荧光粉为无机荧光粉、量子点、有机发光材料三者中的一种或多种;所述第二荧光粉和第二胶体质量比例不高于5:100。本发明通过两种粒径荧光粉的搭配使用,既能使LED保持足够的亮度,又能克服荧光粉的沉降问题,还可以调整蓝光的吸收来提高LED颜色均匀性
大功率白光LED封装工艺及可靠性分析.docx
大功率白光LED封装工艺及可靠性分析随着LED技术的不断发展和应用范围的不断拓展,大功率白光LED的封装工艺也越来越受到关注。本文将介绍大功率白光LED封装工艺的基本原理和特点,并探讨其可靠性分析方法,以期为相关领域的研究提供一定的参考。一、大功率白光LED封装工艺大功率白光LED是指以GaN为基底的蓝光LED芯片为发光体,在加入黄色荧光粉后,发出白光LED。白光LED封装工艺一般包括芯片缓冲、银浆电极形成、管芯制作、焊接和封装等多个步骤。1.芯片缓冲芯片缓冲是指为了使蓝光LED和黄色荧光粉粘结更加牢固,