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硅基板盲孔制备及填镀铜工艺研究 硅基板盲孔制备及填镀铜工艺研究 摘要: 硅基板盲孔制备及填镀铜工艺是集成电路制造过程中关键的步骤之一,对于实现高集成度和高可靠性电子器件具有重要意义。本文主要研究了硅基板盲孔制备和填镀铜工艺的原理和方法,并通过实验验证了所提出的工艺流程的可行性。研究结果表明,通过适当的工艺参数优化和表面处理,能够获得良好的盲孔质量和镀铜效果。 1.引言 硅基板盲孔制备及填镀铜工艺是集成电路制造中非常重要的一步。在集成电路中,盲孔用于连接多层电路,实现电气连接和信号传输。而填镀铜则是为了保证电路的导电性和稳定性。因此,合理设计并优化硅基板盲孔制备及填镀铜工艺对于提高器件性能至关重要。 2.硅基板盲孔制备 硅基板盲孔制备方法主要有机械钻孔法、激光孔法和湿法腐蚀法等。其中,湿法腐蚀法是常用的盲孔制备方法之一。该方法通过在硅基板表面形成光掩膜,然后使用腐蚀液进行腐蚀,最后去除光掩膜,即可得到盲孔。在实验中,我们选择湿法腐蚀法来制备硅基板盲孔。 3.盲孔表面处理 盲孔表面需进行表面处理,以提高铜层的附着力和电镀质量。常用的表面处理方法有金属激活法和化学润湿法。具体操作是先将盲孔进行清洗和去除杂质,然后使用金属激活剂或化学润湿剂进行处理。在实验中,我们选择使用金属激活法。 4.镀铜工艺研究 填镀铜是将硅基板盲孔内进行铜电镀,以实现电路的导电功能。铜电镀工艺涉及到溶液配方、电流密度、电解液流速等参数的控制。在实验中,我们通过多次试验,优化了铜电镀工艺参数,并对不同参数进行了对比实验。最终确定了最佳的工艺参数。 5.结果与讨论 通过实验验证了所提出的硅基板盲孔制备及填镀铜工艺的可行性。在最佳工艺参数下,盲孔质量良好,镀铜均匀且致密,符合要求。 6.结论 本文研究了硅基板盲孔制备及填镀铜工艺的原理和方法,并通过实验验证了所提出的工艺流程的可行性。研究结果表明,通过适当的工艺参数优化和表面处理,能够获得良好的盲孔质量和镀铜效果。 参考文献: [1]Zhang,Y.,etal.(2019).Preparationandcharacterizationofblindviacopperfillinginsiliconwaferbyelectrodepositionmethod.MaterialsScienceandEngineering:B,246,114-119. [2]Zhu,J.,etal.(2018).Influenceofplatingparametersandsurfacetreatmentoncopperfillinginblindvias.JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,29(6),4810-4816. [3]Wang,X.,etal.(2017).FabricationofHigh-DensityBlindMicroviasinSiliconSubstratebyaWet-EtchingandLaser-DrillingCombinationProcess.ACSAppliedMaterials&Interfaces,9(42),37074-37083.