面向45纳米CMOS工艺的硅化镍薄膜工艺研究的任务书.docx

面向45纳米CMOS工艺的硅化镍薄膜工艺研究的任务书
任务书
一、项目背景
近年来，微电子技术正在进入到下一个高度的发展阶段，其中包括利用45纳米CMOS工艺的技术来实现高速、低功耗的微电子芯片的制造。CMOS工艺是当前集成电路制造中最为成熟、稳定的工艺。CMOS工艺的实现需要多种材料的支撑，其中，薄膜是非常重要的。硅化镍薄膜是目前使用最广泛、性能稳定的一种材料。硅化镍薄膜的优点在于极低的导电阻、高的加工效率和容易控制厚度等方面。因此，研究如何在45纳米CMOS工艺下制造硅化镍薄膜，是当前微电子技术发展的重点之一。
二、项目目标
本项目的主要目标是研究45纳米CMOS工艺下硅化镍薄膜的制备工艺，实现以下目标：
1.建立硅化镍薄膜制备的关键技术和工艺流程；
2.确定合适的硅化镍薄膜制备条件和参数；
3.研究硅化镍薄膜制备过程中可能出现的问题，并制定相应的解决方案；
4.验证硅化镍薄膜制备工艺的效果。
三、项目内容
1.确定硅化镍薄膜的制备流程。在研究之初，通过文献调研和实验研究，确定最适合45纳米CMOS工艺下硅化镍薄膜制备的流程，包括实验前的样品制备、硅化镍薄膜制备、后续的检测和分析等。
2.确定制备硅化镍薄膜的技术参数。根据制备流程，确定可能的制备条件和参数，包括反应温度、时间、气体流量、压强等，经过反复实验确定最佳的制备条件和参数。
3.确定硅化镍薄膜的制备设备和试剂。根据制备流程和制备参数，选择适合的制备设备和试剂，如反应釜、气体流量计、化学品等。
4.开展相关实验，验证硅化镍薄膜制备工艺。在制备出硅化镍薄膜后，进行相关的物理化学性质分析，包括对硅化镍薄膜的厚度、电学性能、晶体结构、表面形貌等进行表征，并与理论或其他实验研究的结果进行对比。
5.验证硅化镍薄膜制备工艺的稳定性和可重复性。在确定出合适的制备条件和参数后，检验不同实验批次和不同试验者制备的硅化镍薄膜的性质，证明硅化镍薄膜制备工艺的稳定性和可重复性。
四、项目进度
本项目的任务计划如下：
第一期：文献调研和工艺流程确定。
第二期：制备条件和参数确定、实验设备和试剂选择并准备、第一轮实验验证。
第三期：对制备后的样品进行严格的物性测试和分析，制备不同实验批次的硅化镍薄膜，检验其稳定性和可重复性，制定最终的硅化镍薄膜制备工艺流程和工艺规范文件。
第四期：最终结果提交，论文撰写和总结。
五、预期结果
本项目的实验结果应当是硅化镍薄膜制备工艺方案，该方案需要满足高度稳定的制备效果，具有良好的物理化学性质，并且具有较高的制备效率、较低的成本。实验结果也可以表明，对于目前尚未能够完全解决的硅化镍薄膜制备工艺问题，提出了一系列可行的解决方案。此外，本实验也可为45纳米CMOS工艺下，其他材料的薄膜制备提供参考和借鉴，使得微电子技术得到快速发展。
六、参考文献
1.Dong,H.,Luo,H.,Liu,Z.,&Zheng,W.(2018).Enhancedoptoelectronicpropertiesofamorphoussiliconnitridethinfilmsbynickeldoping.JournalofAlloysandCompounds,735,1892-1897.
2.Zhang,X.X.,Chen,L.,Wang,S.L.,Li,L.J.,Wang,J.N.,Zhang,J.F.,...&Zhu,Z.Q.(2019).ElectrodepositionofNitogetherwithSionaCusubstratetoformaporousNi–Sicompositefilm.MaterialsLetters,238,158-161.
3.Gao,M.,Wang,X.,Yang,W.,&Wang,J.(2017).Synthesisandopticalpropertiesofnickel-dopedzincoxidethinfilms.JournaloftheAmericanCeramicSociety,100(11),5276-5285.