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面向45纳米CMOS工艺的硅化镍薄膜工艺研究
随着半导体技术的发展，CMOS工艺不断向着更低的制造工艺迈进。45纳米CMOS工艺已经成为当前的主流工艺，其中硅化镍薄膜工艺在这样的工艺中具有着重要的地位。
硅化镍薄膜工艺是一种基于化学气相沉积方法（CVD）的金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在CMOS工艺上主要被用于制备金属隧道栅（MTJ）以及磁电阻随机存储器（MRAM）等器件。
硅化镍薄膜的制备主要包括以下步骤：首先是基底的清洗和预处理；随后将镍有机化合物在底层缓冲层上进行化学气相沉积，得到一定厚度的镍薄膜；然后在当前温度下进行气氧化硅化镍薄膜，最终形成所需要的硅化镍薄膜。硅化镍薄膜的制备关键在于如何控制制备过程中的温度、流量和压力等参数，以获得合适的沉积速率和纯度，从而获得具有良好性能的硅化镍薄膜。
在45纳米CMOS工艺中，硅化镍薄膜主要应用于MTJ和MRAM等器件。MTJ是一种具有超高磁阻比的开关元器件，能够用于高速、低功率的高密度储存器中。它主要由两层磁性薄膜和一层隧道隔离层构成，其中硅化镍薄膜作为底部磁性层和隧道隔离层之间的界面层。硅化镍薄膜能够提高MTJ的电流密度，从而提高磁阻比和稳定性，进一步提高MTJ的性能指标。MRAM作为一种新型非挥发性存储，具有高速、低功耗、高密度、长寿命等优点，因此受到广泛关注。硅化镍薄膜作为MRAM中的磁性层也能够有效提高器件的性能。
在45纳米CMOS工艺中，硅化镍薄膜的制备对器件性能有着重要的影响。为了提高硅化镍薄膜的质量，需要优化制备过程中的各项参数，提高沉积速率和纯度。另外，针对硅化镍薄膜在MTJ和MRAM等器件中的应用特点，还需要定制化生长方法，以适应不同器件的需求。在这个基础上，再进一步加强对硅化镍薄膜的物理性质研究，为其后续应用提供更好的支撑，从而加速MRAM等器件的商业化进程。
总之，硅化镍薄膜工艺是45纳米CMOS工艺中的重要一环，对于MTJ和MRAM等器件的制备有着关键的影响。因此，对它的研究和优化具有重要的理论意义和应用前景。