湿法刻蚀多晶硅周边问题.pptx
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汇报人:CONTENTSPARTONEPARTTWO湿法刻蚀多晶硅的定义湿法刻蚀多晶硅的应用领域湿法刻蚀多晶硅的研究意义PARTTHREE湿法刻蚀多晶硅的原理湿法刻蚀多晶硅的工艺流程湿法刻蚀多晶硅的关键技术PARTFOUR实验材料的选择及制备实验设备的选择及使用实验条件及参数优化PARTFIVE实验结果展示结果分析结果与预期结果的比较及原因分析PARTSIX存在的问题解决方案及实施效果对未来研究的建议和展望PARTSEVEN结论总结研究成果的评价与展望对未来研究的建议和展望汇报人:
冶金多晶硅电池周边结湿法刻蚀工艺及光伏电站组件常见问题的研究的任务书.docx
冶金多晶硅电池周边结湿法刻蚀工艺及光伏电站组件常见问题的研究的任务书任务书任务名称:冶金多晶硅电池周边结湿法刻蚀工艺及光伏电站组件常见问题的研究任务背景:随着全球能源需求的不断增长,光伏(太阳能)能源已经成为可再生能源中的一种重要形式。在太阳能电池组件中,硅是用于太阳辐射能转换的最常见材料。在利用硅制造太阳能电池时,经常会利用刻蚀技术将硅薄片进行处理,以便获得更高的转换效率。然而,传统的硅刻蚀方法存在一些问题,例如生产成本高、处理时间长、对环境有一定影响等。为了解决这些问题,人们开始将已有的硅刻蚀技术和工
湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法.pdf
本发明提供一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法。该湿法刻蚀机包括刻蚀腔室,所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层,各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置,且每一所述刻蚀层包括:用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置。采用该刻蚀机及其方法,能够解决现有技术的湿法刻蚀机,当生产工艺中需要总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时,需要增加停留时间造成刻蚀的生产节拍降低,或者需要增加串联刻蚀腔室的个数,造成占地面积较大的问题。
多晶硅刻蚀方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅刻蚀方法,该方法包括:提供具有第一区域和第二区域的晶片,所述第一区域形成有第一多晶硅层,所述第二区域形成有第二多晶硅层,其中,第一多晶硅层包括非掺杂层以及位于非掺杂层上的掺杂层;在第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成图案化光阻层;执行第一刻蚀步骤,以去除未被图案化光阻层覆盖的部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层;执行第二刻蚀步骤,以去除未被图案化光阻层覆盖的剩余的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层;在所述第一刻蚀步骤中,未被图案化光阻层覆盖的掺杂层被完全去除,从而确保形成具有垂直轮廓的栅极,
硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率.pdf
各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率材料腐蚀剂腐蚀速率SiHF+HNO+HO最大490um/min32SiONHF150g23℃时0.1μm/min24HF40%70mLHO150mL2SiN49%HF23℃LPCVDPECVD3485%HPO155℃8.0nm/min150.0-300.0nm/min3485%HPO180℃1.5nm/min10.0-20.0nm/min3412.0nm/min60.0-100.0nm/min多晶硅HF6mL800nm/min,边缘平整HNO100mL3HO40mL2HF1mL1