硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率.pdf

各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率

材料腐蚀剂腐蚀速率

SiHF+HNO+HO最大490um/min
32

SiONHF150g23℃时0.1μm/min
24

HF40%70mL

HO150mL
2

SiN49%HF23℃LPCVDPECVD
34

85%HPO155℃8.0nm/min150.0-300.0nm/min
34

85%HPO180℃1.5nm/min10.0-20.0nm/min
34

12.0nm/min60.0-100.0nm/min

多晶硅HF6mL800nm/min,边缘平整

HNO100mL
3

HO40mL
2

HF1mL150nm/min

HNO26mL
3

CHCOOH33mL
3

铝HCl1mL80℃,细线

H2O2mL

HPO4mL35nm/min,细线,腐蚀GaAs
34

HNO1mL
3

CHCOOH4mL
3

HO1mL
2

KBrO0.1M1um/min,腐蚀时无气体溢出
247
KOH0.51M

KFeCN0.6M
36

HPO16-19mL150.0-250.0nm/min,腐蚀GaAs
34

HNO1mL
3

HO0-4mL
2

金HCl3mL25-50um/min

HNO1mL
3

KI4g0.5-1um/min

I1g
2

HO40mL
2

银NHOH1mL360.0nm/min,腐蚀后快速清洗
4

HO1mL
22

CHOH4mL
3

铜HO70mL+FeCl30g,50℃7um/min
23

铬HCl1mL80.0nm/min

甘油1mL

HCl1mL80.0nm/min

饱和CeSO9mL
4

NaOH1g+HO2mL1mL25.0-100.0nm/min
2

KFeCN1g+HO3mL3mL
362

钼
HPO5mL抛光腐蚀
34

HNO3mL
3

HO2mL
2
KFeCN11g1um/min
36

KOH10g

HO150mL
2

钨KHPO34g160.0nm/min
24

KOH13.4g

KFeCN33g
36

用水稀释至1L

铂HCl3mL20um/min,腐蚀之前在HF中浸泡

HNO1mL30S
3

HCl7mL40.0-50.0nm/min,85℃

HNO1mL
3

HO8mL
2

钯HCl1mL100.0nm/min

HNO10mL
3

CHCOOH10mL
3

KI4g

I1g
2

HO40mL
2

硅常见各向异性刻蚀

刻蚀剂/稀释剂/添加刻蚀速率刻蚀速率比掩膜材料刻刻蚀终止特性备注

剂/温度100/mm/min100/111蚀速率

KOH/水/异丙醇/85℃1.4400,110/111SiN几乎不掺杂浓与IC不
34

-3
是60刻蚀度>1020cm兼容,对

SiO28/min时,刻蚀速率氧化层腐
2
降低到1/20蚀过快,

大量H气
2

泡

邻苯二酚,乙二胺,水1.2535SiN1/min掺杂浓有毒性,
34

-3
EDP/Pyrazine/115℃SiO2-5/min度>5X1010cm易失效,
2
时,刻蚀速率需与氧气

降低到1/50隔离,很

少氢气,

硅酸盐沉

淀

四甲基氢氧化氨1.012.5-50SiO刻蚀速掺杂浓与IC兼
2

TMAH/水/90℃率比100硅度>4X1020cm-3容,易操

低四个数量时,刻蚀速率作,表面

级降低到1/40光滑,研

究不充分