湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法.pdf

本发明提供一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法。该湿法刻蚀机包括刻蚀腔室，所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层，各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置，且每一所述刻蚀层包括：用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置。采用该刻蚀机及其方法，能够解决现有技术的湿法刻蚀机，当生产工艺中需要总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时，需要增加停留时间造成刻蚀的生产节拍降低，或者需要增加串联刻蚀腔室的个数，造成占地面积较大的问题。

2023-11-22

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干刻蚀电极及刻蚀机.pdf

本发明公布了一种包括相对放置的上部电极与下部电极，所述下部电极包括电极本体、电极凸台及遮蔽片，所述电极本体包括面对所述上部电极的第一表面，所述电极凸台突设于所述第一表面，所述遮蔽片设于所述第一表面且包围所述电极凸台，所述遮蔽片与所述电极凸台之间设有间隙，所述第一表面上设有沟槽，所述沟槽与所述电极凸台邻接，所述沟槽内填充第一隔离介质，所述间隙在所述第一表面上的正投影落入所述第一隔离介质范围内，所述第一隔离介质用于隔离等离子体与所述电极本体。杜绝了上部电极与下部电极之间异常放电或产生直流电压的现象发生，防止刻

2023-06-26

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一种湿法刻蚀机.pdf

本发明提供一种湿法刻蚀机，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对设置，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液；所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所

2023-08-30

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硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率.pdf

各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率材料腐蚀剂腐蚀速率SiHF+HNO+HO最大490um/min32SiONHF150g23℃时0.1μm/min24HF40%70mLHO150mL2SiN49%HF23℃LPCVDPECVD3485%HPO155℃8.0nm/min150.0-300.0nm/min3485%HPO180℃1.5nm/min10.0-20.0nm/min3412.0nm/min60.0-100.0nm/min多晶硅HF6mL800nm/min,边缘平整HNO100mL3HO40mL2HF1mL1

2024-07-27

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一种芯片生产用的湿法刻蚀机.pdf

本发明公开了一种芯片生产用的湿法刻蚀机，包括晶圆湿法刻蚀装置，晶圆水洗装置和晶圆干燥装置，晶圆湿法刻蚀装置包括第一机架，第一机架上安装有的刻蚀输送辊组，所述刻蚀输送辊组一对输送辊组之间安装有若干条间隔的刻蚀输送带，晶圆水洗装置包括相互衔接的第一输送组件和第二输送组件，水洗腔室的顶部内安装和有对晶圆上下表面进行喷射超纯水的喷射水洗机构装置，晶圆干燥装置包括第四机架，第四机架上依次安装有上游输送装置、干燥输送装置和下游输送装置，干燥输送装置包括若干个干燥输送辊，该湿法刻蚀机能够完成晶圆的刻蚀、清洗以及干燥，更

2023-11-06

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