SJ LDMOS器件结构仿真与研究的任务书.docx
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SJ LDMOS器件结构仿真与研究.docx
SJLDMOS器件结构仿真与研究Abstract:ThispaperfocusesonthesimulationandstudyofSJLDMOSdevicestructure.ThepaperfirstintroducesthebasicstructureandworkingprincipleofSJLDMOSdevice.Then,thepaperdescribesthekeyfactorsthataffecttheperformanceofSJLDMOSdevice,includingthemate
SJ LDMOS器件结构仿真与研究的任务书.docx
SJLDMOS器件结构仿真与研究的任务书任务书:SJLDMOS器件结构仿真与研究一、任务背景随着通信和电子领域的发展,射频功率晶体管(RFPowerTransistor)逐渐应用于地面雷达、电视和雷达转发器、无线通信、微波炉等领域。晶体管的性能和稳定性对于这些应用的成功运行至关重要。其中,SJLDMOS器件是一类高功率应用场景下使用的功率晶体管。较为成熟的二极管、MOSFET、GaAsFET等控制型功率器件无法满足高功率的需求,而采用结构以谷耗(LostDrainModeSilicononInsulato
LDMOS器件仿真设计实验.doc
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LDMOS器件仿真设计实验.pdf
电子科技大学实验报告学生姓名:于全东学号:201322030315指导教师:乔明一、实验室名称:211楼803二、实验项目名称:半导体功率器件与智能功率IC实验——LDMOS器件仿真设计实验三、实验原理:利用medici仿真实验四、实验目的:通过实验,了解LDMOS器件的结构,掌握LDMOS器件的设计方法,熟悉MEDICI软件的使用。五、实验内容:完成一种700VRESURFLDMOS器件完整的设计仿真工作,其指标达到预定要求。其中,主要针对器件耐压、阈值电压、跨导、开态特性进行仿真优化,确定栅氧厚度、沟
LDMOS器件结构及其制造方法.pdf
本发明提供一种LDMOS器件结构及其制造方法,其中,所述结构包括:第一导电类型的衬底,其上表面形成有第一导电类型的外延层;位于所述外延层上表面的栅极结构;位于所述外延层内的第一导电类型阱区和第二导电类型漂移区;位于所述第一导电类型阱区内的源区,和位于所述第二导电类型漂移区内的漏区;覆盖所述栅极结构上表面和两侧壁,以及位于所述外延层上表面的第一绝缘层;和延伸通过所述第一绝缘层、所述源区和所述外延层,且延伸至所述衬底接触的第一导电通道,且所述第一导电通道与所述源区的上表面接触,以基于所述第一导电通道连接所述源