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GaSb基肖特基型器件制备及性质研究的中期报告
本次中期报告主要介绍了GaSb基肖特基型器件的制备过程及其性质研究的进展情况。
一、制备过程
1.GaSb衬底制备
采用MBE生长技术，在GaSb衬底上生长GaSb外延层。在室温下，使用NH4OH溶液清洗硅衬底，使其表面变成亲水性，并去除氧化物。接着，用异丙醇-三甲胺-水的混合液洗涤硅衬底，去除其表面的杂质。放到真空箱中，使其真空度达到10^-6torr。加热至700℃，放入坩埚中的GaSb小颗粒，将挥发的GaK源输送到衬底上，田厚度为500nm左右。在GaSb衬底上生长InSb。
2.肖特基型器件制备
将生长好的InSb片子表面用激光退火处理。在O2环境中加热800℃，持续30min，用于去除表面的杂质和增强表面场致发射的能力。接着，在NTC中进行金属电极的沉积，使之与InSb片子表面接触紧密。金属可选铝、钯或钼。
二、性质研究
1.肖特基势垒高度
通过对肖特基势垒高度的测量，可以了解器件在电场、温度等不同条件下的表现情况。主要采用量子阱反射谱技术来测量。
2.热电性能
采用换热仪和电测量系统实验测量得到器件的热电系数和电导率，用以评估其在热电领域的应用潜力。
3.光电性能
由于肖特基型器件可以用于光电转换和红外探测器等领域，因此研究器件的光电性能是很重要的。通过光电流和波长响应等实验测量，得到器件的光电转换效率和探测响应特性。
以上是本次中期报告的主要内容，下一步的工作将继续深入研究器件的性能及其应用潜力，为该领域的进一步发展做出贡献。