半导体特征、PN结小结.ppt

微电子技术专业第1章一、半导体的晶格结构、各向异性一、半导体的晶格结构、各向异性一、半导体的晶格结构、各向异性一、半导体的晶格结构、各向异性一、半导体的晶格结构、各向异性二、半导体的导电性三、半导体中的电子状态和能带能带中的几个基本概念：允带、禁带、空带、满带、半满带半导体能带中的几个概念：价带、导带、导带底、价带顶、禁带宽度。半导体能带中的几个概念：价带、导带、导带底、价带顶、禁带宽度。简述空穴的概念。杂质和缺陷对导电性能产生影响的机理是什么？
写出常见杂质的种类并举例。四、半导体中的杂质和缺陷施主能级与受主能级的位置。从能带角度分析为什么掺入施主或受主杂质后半导体的导电性能能大大加强。什么是浅能级？什么是杂质的补偿作用？四、半导体中的杂质和缺陷五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动五、载流子的运动六、非平衡载流子六、非平衡载流子六、非平衡载流子什么是直接复合？什么是间接复合？
六、非平衡载流子第2章一、PN结及其能带图一、PN结及其能带图一、PN结及其能带图二、平衡PN结二、平衡PN结三、PN结的直流特性三、PN结的直流特性三、PN结的直流特性三、PN结的直流特性四、PN结电容四、PN结电容正向偏压增大，载流子从扩散（扩散或势垒）区取出存入势垒区，中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主，使势垒区电场减小（增大或减小），势垒区宽度减小（增大减小），势垒电容增大（增大或减小）。
正向偏压减小，势垒区电场增大，载流子从势垒区取出存入扩散区，使势垒区宽度增大，势垒电容减小。
反向偏压的绝对值增大，势垒区电场增大，载流子从势垒区取出存入扩散区，使势垒区宽度增大，势垒电容减小。
反向偏压的绝对值减小，载流子从扩散区取出存入势垒区，中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主，使势垒区电场减小，势垒区宽度减小，势垒电容增大。
按击穿过程是否逆，分为电击穿和热击穿，其中热击穿是不可逆的，电击穿是可逆的，后者按其产生的原因不同还可分为雪崩击穿和隧道击穿（又称齐纳击穿）。五、PN结击穿一般杂质浓度下，雪崩击穿机构是主要的。在重掺杂的情况下，由于势垒区宽度减小，隧道击穿变为主要的。五、PN结击穿