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半导体物理基础PN结PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结在空间电荷区，载流子浓度不发生变化，因此准费米能级不变。
2-3理想PN结的直流电流－电压特性
该电场将使得电子有类似的分布，以中和过量的空穴。
单边突变结的耗尽层宽度为（耗尽近似）
用语言描述正、反向偏置下电流形成。
隧道电流概念：当P侧和N侧均为重掺杂的情况时，有些载流子可能穿透(代替越过)势垒而产生电流，这种电流叫做隧道电流。
无内建电场，载流子不作漂移运动。
x=xn处空穴电流的交流量为
层宽度W’W
形成PN结之后，费米能级要求恒定，即N区费米能级要下降
耗尽层宽度是偏置电压的函数。
画出能带图解释隧道二极管的I－V特性。
理想的P-N结的基本假设及其意义：
但当电流增大时，空间电荷区的载流子浓度会与杂质离子浓度可比拟，耗尽近似不再成立。
结电压随温度变化十分灵敏，这一特性被用来精确测温和控温。
低偏压：空间电荷区的复合电流占优势
由于从P区注入了过量空穴，因此该区域将建立一个电场。2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.2加偏压的PN结2.2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-2加偏压的PN结2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性若越小，电压愈低，则势垒区复合电流的影响愈大
由于单位时间内通过结的多数载流子的数目起伏较小，因此隧道二极管具有较低的噪音。
无内建电场，载流子不作漂移运动。
由连续性方程为0可得：
2-3理想PN结的直流电流－电压特性
PN结的内建电势2-1-7和2-1-19
2-3理想PN结的直流电流－电压特性
反向抽取：当PN结加反向偏压时，少子浓度会小于热平衡时少子浓度。
无内建电场，载流子不作漂移运动。
在接触前分开的P型和N型硅的能带图
耗尽区：在空间电荷区中，各自的多数载流子浓度受到抑制或者耗尽。
2-2加偏压的PN结
边界层小于耗尽层的宽度，所以可以忽略。
2-8PN结二极管的频率特性
隧道电流概念：当P侧和N侧均为重掺杂的情况时，有些载流子可能穿透(代替越过)势垒而产生电流，这种电流叫做隧道电流。
正向注入：当PN结加正向偏压时，少子浓度会大于热平衡时少子浓度。
少子空穴的扩散区：空间电荷区N侧边缘Ln左右的范围
由同种物质构成的结叫做同质结（如硅），由不同种物质构成的结叫做异质结（如硅和锗）。2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-3理想PN结的直流电流－电压特性2-4空间电荷区的复合电流和产生电流2-4空间电荷区的复合电流和产生电流2-4空间电荷区的复合电流和产生电流2-4空间电荷区的复合电流和产生电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-5隧道电流2-6I-V特性的温度依赖关系2-6I-V特性的温度依赖关系2-6I-V特性的温度依赖关系2-7耗尽层电容2-7耗尽层电容2-7耗尽层电容2-7耗尽层电容2-7耗尽层电容2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性2-8PN结二极管的频率特性PN结的电容效应PN结的电容效应PN结的电容效应PN结的电容效应2.9电荷存储和反向瞬变2.9电荷存储和反向瞬变2.9电荷存储和反向瞬变2.9电荷存储和反向瞬变2.9电荷存储和反向瞬变2.9电荷存储和反向瞬变2.9电荷存储和反向瞬变2.10PN结击穿2.10PN结击穿2.10PN结击穿本章小结本章小结本章小结本章小结本章小结本