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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106298158A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201510487786.9(22)申请日2015.08.11(30)优先权数据1041205322015.06.25TW(71)申请人威华微机电股份有限公司地址中国台湾苗栗县(72)发明人萧铭河李邦彦曾彦豪(74)专利代理机构北京泰吉知识产权代理有限公司11355代理人张雅军(51)Int.Cl.H01F17/04(2006.01)权利要求书3页说明书13页附图29页(54)发明名称内埋式被动元件及其量产方法(57)摘要一种内埋式被动元件,包含一主体及至少一膜层结构。该主体包括一轮廓面及至少一凹槽。该轮廓面具有相反设置的一第一面区及一第二面区,该凹槽自该第一面区与第二面区两者其中一者朝该第一面区与第二面区两者其中另一者凹陷,且该主体为一体。该膜层结构局部地填置于该凹槽中,且包括一第一导电层,并至少包括一磁性层或一介电层。通过该膜层结构的该第一导电层与该磁性层两者间的电性作用,或通过该第一导电层与该介电层两者间的电性作用,以至少达成电感或电容的特性。本发明还提供一种前述被动元件的量产方法。该主体因呈一体结构而强度高,且该凹槽利于填置足够量的膜层结构(如该磁性层)以在节省元件空间的前提下确保元件本身应有的性能。CN106298158ACN106298158A权利要求书1/3页1.一种内埋式被动元件,包含:一主体,及至少一膜层结构;其特征在于:该主体包括一轮廓面及至少一凹槽,该轮廓面具有相反设置的一第一面区及一第二面区,该凹槽是自该第一面区与该第二面区两者其中一者朝该第一面区与该第二面区两者其中另一者凹陷,且该主体为一体;及该膜层结构局部地填置于该凹槽中,且包括一第一导电层,并至少包括一磁性层及一介电层两者其中一者,通过该膜层结构的该第一导电层与该磁性层两者间的电性作用,或通过该第一导电层与该介电层两者间的电性作用,以至少达成电感及电容两者其中一者的特性。2.根据权利要求1所述的内埋式被动元件,其特征在于:该主体是由一以硅为主的材料或一金属材料所构成。3.根据权利要求2所述的内埋式被动元件,其特征在于:该主体的凹槽是自该第一面区朝该第二面区凹陷,且该凹槽是由该第一面区的一基面区块,及一自该第一面区的基面区块的一周缘背向该第二面区延伸的一环面区块所共同定义而成。4.根据权利要求3所述的内埋式被动元件,其特征在于:该膜层结构包括该磁性层,该磁性层是填置于该凹槽中,该第一导电层是一线圈,该第一导电层是至少围绕于该主体的轮廓面的一部分。5.根据权利要求4所述的内埋式被动元件,其特征在于:该主体的轮廓面还具有相反设置的一第三面区及一第四面区,该第三面区与该第四面区皆衔接于该第一面区与该第二面区,该第一导电层围绕于该主体的轮廓面的该第一面区、该第二面区、该第三面区与该第四面区;该内埋式被动元件是做为一扼流器使用。6.根据权利要求3所述的内埋式被动元件,其特征在于:该膜层结构包括该磁性层与该介电层,且该膜层结构还包括一绝缘层、一第二导电层,及一第三导电层;该磁性层与该介电层两者其中一者是填置于该凹槽中,且是相对该磁性层与该介电层两者其中另一者靠近基面区块;该第一导电层位于该凹槽处且是一线圈并接触于该磁性层,该第一导电层具有一漩涡段、一自该漩涡段的一外端延伸至该凹槽外的延伸段,及一自该漩涡段的一内端延伸至该凹槽外的桥接段;该绝缘层覆盖于该第一导电层的漩涡段并裸露出该漩涡段的该内端;该磁性层与该介电层是夹置于该第一导电层、该第二导电层及该第三导电层三者间;及该内埋式被动元件是做为一电感电容滤波器使用。7.根据权利要求2所述的内埋式被动元件,其特征在于:该凹槽与该膜层结构的数量各是两个,各膜层结构包括该磁性层,且各膜层结构还包括一绝缘层;所述凹槽是分别自该第一面区与该第二面区朝第二面区与该第一面区凹陷,且位于该第一面区的凹槽是由该第一面区的一基面区块,及一自该第一面区的基面区块的一周缘背向该第二面区延伸的一环面区块所共同定义而成,位于该第二面区的凹槽是由该第二面区的一基面区块,及一自该第二面区的基面区块的一周缘背向该第一面区延伸的一环面区块所共同定义而成,所述两凹槽的基面区块是彼此对准;各膜层结构的第一导电层是对应位于各凹槽处且是一线圈,各第一导电层具有一漩涡2CN106298158A权利要求书2/3页段、一自各漩涡段的一外端延伸至各凹槽外的延伸段,及一自各漩涡段的一内端延伸至各凹槽外的桥接段;各膜层结构的绝缘层是覆盖于各第一导电层的漩涡段并裸露出各漩涡段的内端;各膜层结构的磁性层是填置于各凹槽中;及该内埋式被动元件是作为一共模滤波器使用。8.根据权利要求7所述的内埋式被动元件,其特征在于:各第一导电层