湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法.pdf
雨星****萌娃
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湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法.pdf
本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法,包括获取约束晶面的实验刻蚀速率;建立Q‑RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数;利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率;生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值;判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合,满足则输出最优个体目标参数;不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异,生成下一代种群,进入新一轮循环;将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球
硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率.pdf
各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率材料腐蚀剂腐蚀速率SiHF+HNO+HO最大490um/min32SiONHF150g23℃时0.1μm/min24HF40%70mLHO150mL2SiN49%HF23℃LPCVDPECVD3485%HPO155℃8.0nm/min150.0-300.0nm/min3485%HPO180℃1.5nm/min10.0-20.0nm/min3412.0nm/min60.0-100.0nm/min多晶硅HF6mL800nm/min,边缘平整HNO100mL3HO40mL2HF1mL1
湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法.pdf
本发明提供一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法。该湿法刻蚀机包括刻蚀腔室,所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层,各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置,且每一所述刻蚀层包括:用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置。采用该刻蚀机及其方法,能够解决现有技术的湿法刻蚀机,当生产工艺中需要总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时,需要增加停留时间造成刻蚀的生产节拍降低,或者需要增加串联刻蚀腔室的个数,造成占地面积较大的问题。
一种湿法刻蚀方法.pdf
本发明提出了一种湿法刻蚀方法,创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法,完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题,同时,除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用,碱槽喷淋不再使用,从而减少了设备耗材的消耗与维护,极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外,本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋,彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。
晶体具有等效的晶面.ppt
2.晶向指数:3.晶面指数(密勒指数)(2)截距取倒数;例2:在立方晶系中,{100}代表(100),(010),(001)三个等效晶面族。说明本来是等价的晶面却不具有类似的指数,给研究带来不方便。可能出现指标的不唯一性晶向四指数的解析求法:若指标已经是唯一确定的,则不需要再另加限制条件。作业