一种湿法刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109473505A(43)申请公布日2019.03.15(21)申请号201811080923.7(22)申请日2018.09.17(71)申请人横店集团东磁股份有限公司地址322118浙江省金华市东阳市横店工业区(72)发明人黎剑骑孙涌涛徐乐(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司33109代理人尉伟敏(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L21/306(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种湿法刻蚀方法(57)摘要本发明提出了一种湿法刻蚀方法，创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法，完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题，同时，除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用，碱槽喷淋不再使用，从而减少了设备耗材的消耗与维护，极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外，本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋，彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。CN109473505ACN109473505A权利要求书1/1页1.一种湿法刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）硅片在滚轮上进行传送，传送到刻蚀槽时，用HNO3/HF混合液对硅片背面进行刻蚀，刻蚀后硅片减薄量0.2-0.4g，反射率18%-40%；（2）刻蚀槽完成后传送进花篮，然后通过机械臂将花篮抬起放入水槽，进行纯水洗；（3）水洗完成后，然后通过机械臂将花篮抬起放入碱槽，进行KOH碱洗；（4）碱洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入水槽，进行纯水洗；（5）水洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入酸槽，进行HF酸洗；（6）酸洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入水槽，进行纯水洗；（7）水洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入烘干槽，进行烘干。2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤2）水洗的温度40-60℃，时间为2-5min。3.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤3）KOH碱洗的质量浓度为3%-5%，温度20-30℃，时间3-7min。4.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤4）水洗的温度40-60℃，时间5-10min。5.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤5）酸洗的质量浓度8%-15%，温度20-30℃，时间5-10min。6.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤6）水洗温度50-70℃，时间3-8min。7.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤7）烘干温度60-80℃，时间6-10min。2CN109473505A说明书1/4页一种湿法刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及一种湿法刻蚀方法，属于晶硅太阳电池生产领域。背景技术[0002]晶硅太阳电池湿法刻蚀的目的为：①去除硅片边缘PN结，防止电池片上下短路；②对硅片背面进行抛光处理，增强电池片内部光反射；③去除多孔硅，防止PE镀膜电池片后产生色斑；④去除磷硅玻璃层，防止PE镀膜后电池片局部发白；目前，湿法刻蚀在晶硅太阳电池生产中采用的是链式湿法刻蚀方法，即通过电机的牵引带动滚轮的转动使硅片在滚轮上进行传送，从而使硅片在各槽体进行链式清洗，由于链式清洗中滚轮的大量使用，滚轮易磨损、腐蚀，会导致电池片产生产EL滚轮印、黑点黑斑的问题，从而导致电池片成为不良品。同时，链式湿法刻蚀结束后，出料时会通过皮带传送硅片至花篮，皮带脏污会导致电池片EL皮带印，是电池片也会成为不良品。另外，传统湿法刻蚀碱槽采用的是喷淋式式对硅片正背面进行清洗，喷淋易被碱液结晶所堵塞，导致药液循环不均匀，喷向硅片时覆盖不均匀，从而使多孔硅去除不干净，导致PE镀膜后产生色斑。发明内容[0003]本发明是为了解决传统湿法刻蚀中电池片EL下易产生的滚轮印、皮带印、黑点黑斑问题，碱槽喷淋易堵塞导致背面多孔硅去除不干净的隐患，以及传统湿法刻蚀滚轮的使用、喷淋的维护使设备维护成本的增加和维护周期频繁的问题，提出了一种湿法刻蚀方法，本方法创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法，完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题，同时，除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用，碱槽喷淋不再使用，从而减少了设备耗材的消耗与维护，极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外，本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋，彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。[0004]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种湿法刻蚀方法，所述方法包括以下步骤：（1）硅片在滚轮上进行传送，传送到刻蚀槽时，用HNO3/HF混合液对硅片背面进行刻蚀，刻蚀后硅片减薄量0.2-0.