一种用于真空腔室磁控溅射的装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106868465A(43)申请公布日2017.06.20(21)申请号201710098439.6(22)申请日2017.02.23(71)申请人北京创世威纳科技有限公司地址100085北京市海淀区清河龙岗路27号(72)发明人王长梗关江敏(74)专利代理机构北京尚德技研知识产权代理事务所(普通合伙)11378代理人陈晓平(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/50(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种用于真空腔室磁控溅射的装置(57)摘要一种用于真空腔室磁控溅射的装置，其包括轴线重合的顺序连接的可旋转的第一大齿轮、可旋转的公转支撑盘和可旋转的遮挡盘，所述公转支撑盘沿周向均布有多个可旋转的自转样片盘，所述自转样片盘的轴线在以所述公转支撑盘的轴线为中心的一个圆周上，所述自转样片盘设置有与所述第一大齿轮啮合的自转齿轮，所述遮挡盘在所述自转样片盘上方，所述遮挡盘设置有至少一个加工口，所述加工口设置在所述自转样片盘的轴线所在的圆周上方，所述加工口的面积大于所述圆形样片的面积。本发明所提供的一种用于真空腔室磁控溅射的装置，可以一次放入多个样品，做多次不同工艺参数的实验，从而大大提高实验效率。CN106868465ACN106868465A权利要求书1/1页1.一种用于真空腔室磁控溅射的装置，其特征在于，所述真空腔室设置有至少一个圆形磁控靶，其安装在所述圆形磁控靶下方，其包括轴线重合的顺序连接的可旋转的第一大齿轮、可旋转的公转支撑盘和可旋转的遮挡盘，所述公转支撑盘沿周向均布有多个可旋转的自转样片盘，所述自转样片盘的轴线在以所述公转支撑盘的轴线为中心的一个圆周上，所述自转样片盘设置有与所述第一大齿轮啮合的自转齿轮，所述遮挡盘在所述自转样片盘上方，所述遮挡盘设置有至少一个加工口，所述加工口设置在所述自转样片盘的轴线所在的圆周上方，所述加工口的面积大于所述圆形样片的面积。2.根据权利要求1所述的用于真空腔室磁控溅射的装置，其特征在于，所述加工口是圆形或者开口的凹形。3.根据权利要求1所述的用于真空腔室磁控溅射的装置，其特征在于，所述遮挡盘设置有铠装加热器或者石英红外加热器。4.根据权利要求3所述的用于真空腔室磁控溅射的装置，其特征在于，所述遮挡盘包括一个壳体、设置在所述壳体内的多个加热模块以及一个盖板。5.根据权利要求1所述的用于真空腔室磁控溅射的装置，其特征在于，所述第一大齿轮、所述公转支撑盘和所述遮挡盘是由三个顺序环绕的分别连接有独立的驱动设备的驱动轴来驱动，所述驱动设备是可编程的步进电机。2CN106868465A说明书1/3页一种用于真空腔室磁控溅射的装置技术领域[0001]本发明涉及真空磁控溅射技术领域，特别涉及一种用于真空腔室磁控溅射的装置。背景技术[0002]在半导体、微电子行业，通常需要采用真空等离子体技术用圆形磁控靶对圆形样品进行溅射，从而进行小批量生产已验证各种设计。目前市场上的用于圆形样品小批量生产的设备通常是在真空腔室中的圆形磁控靶下方采用齿轮结构设置多个可自转+公转的圆台，从而可将圆形样品放置在圆台上在各个磁控靶下方自转完成溅射加工。在实际应用中，在进行一炉多片生产前，都要进行工艺摸索，经过多次的工艺摸索与工艺调整，才能找到最佳的工艺参数，在摸索工艺时为了避免浪费，一次只做一个样片。自转+公转时可以获得最好的均匀性，但做一片样品时如果采用自转+公转模式，样品就会自转同时经过公转移动到其他位置，经过一周才会回到特定的磁控靶下方再次进行溅射，浪费了绝大数溅射时间，很不经济，如果把自转+公转机构作为样品换位机构，只是把样品换位到某个溅射靶下方进行定点的溅射，在溅射过程中就没有进行自转，均匀性会下降10％-20％，因此溅射质量就难以保障。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种用于真空腔室磁控溅射的装置，以减少或避免前面所提到的问题。[0004]为解决上述技术问题，本发明提出了一种用于真空腔室磁控溅射的装置，所述真空腔室设置有至少一个圆形磁控靶，其安装在所述圆形磁控靶下方，其包括轴线重合的顺序连接的可旋转的第一大齿轮、可旋转的公转支撑盘和可旋转的遮挡盘，所述公转支撑盘沿周向均布有多个可旋转的自转样片盘，所述自转样片盘的轴线在以所述公转支撑盘的轴线为中心的一个圆周上，所述自转样片盘设置有与所述第一大齿轮啮合的自转齿轮，所述遮挡盘在所述自转样片盘上方，所述遮挡盘设置有至少一个加工口，所述加工口设置在所述自转样片盘的轴线所在的圆周上方，所述加工口的面积大于所述圆形样片的面积。[0005]优选地，所述加工口是圆形或者开口的凹形。[0006]优选地，所述遮挡盘设置有铠装加热器或者石英