一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法.pdf
书生****22
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一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法.pdf
一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法,包括如下步骤:1、取原始多晶硅片裁剪为20mm×20mm的小块,利用粗糙度仪测得原始表面粗糙度小于0.4μm,利用螺旋测微仪测得硅片的原始厚度;2、利用脉冲宽度600ps的皮秒光纤激光器设定激光扫描区域15mm×15mm对表面进行减薄加工,激光的波长193‑1064nm,重复频率100‑1000KHz,输出功率1‑20W,激光扫描速度100‑500mm/s,扫描次数5‑15次;3、绘制激光切割轮廓线并调整激光参数进行硅片切割;4、利用仪器测量硅片表面的粗糙度、
一种皮秒激光加工设备.pdf
本发明涉及激光加工技术领域,提供一种皮秒激光加工设备,用于对脆性材料进行加工,包括皮秒激光振镜系统、机器视觉系统、控制系统、工作台、运动系统和运动控制系统;所述皮秒激光振镜系统和所述机器视觉系统设置在所述工作台上方,所述皮秒激光振镜系统和所述运动系统与所述运动控制系统电性连接,所述运动系统与所述工作台机械连接,所述皮秒激光振镜系统、所述机器视觉系统、所述工作台和所述运动控制系统均与所述控制系统电性连接。通过皮秒激光加工工艺,实现脆性材料的皮秒激光精密加工。本发明实施例可以实现对具有深层强化层的脆性材料上加
一种硅片减薄方法.pdf
本发明属于半导体集成电路制造工艺,尤其涉及一种硅片减薄方法。步骤1,将保护材料设置在硅片的正面;步骤2,用分阶段研磨的方式对所述硅片进行背面减薄,具体减薄过程分为两个阶段;步骤3,将研磨减薄后的硅片放入腐蚀液中,用磨砂轮以腐蚀速率v3进行湿法腐蚀;步骤4,将保护材料从硅片上去除。本发明减少了硅片在减薄过程中产生的缺陷,既保证了硅片减薄的批量化进行,又能有效地减少因为减薄所带来的背面缺陷和损伤层,并对个减薄和腐蚀过程中的厚度比例以及速率有精细的控制,所以减薄过程中硅片表面不会产生较多的缺陷和损伤,并通过减薄
多晶硅片的加工方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅片的加工方法,按以下步骤进行:S1、经过铸锭、开方、研磨加工后得到晶棒;S2、粘棒;S3、装料:将载有晶棒的晶托固定在金刚线切片机的切割室内的升降台上,切割室内平行设置有两个导线轮,两导线轮上缠绕有金刚线,升降台上具有沿导线轮轴线方向延伸的T型定位滑槽,晶托上具有适于与T型定位滑槽相配合的T型定位滑块,T型定位滑块与T型定位滑槽插接配合到位后将T型定位滑块在T型定位滑槽内锁定从而完成晶托的固定;S4、切片;S5、卸料及脱胶;S6、检验及包装;本发明中的步骤S2中对晶托锁定的可靠性高,
金刚线切割多晶硅片的装置及切割方法.pdf
本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的装置及切割方法。金刚线切割多晶硅片的装置,包括切割机,所述切割机包括有两个间隔设置的大导轮、绕设在两个大导轮之间的若干根金刚线、用于喷冷却液的冷却液喷嘴,其特征是:在两个所述大导轮的上方位置平行设置有两个直径小于所述大导轮直径的小导轮,两个所述小导轮位于两个所述大导轮之间内侧且两个所述小导轮的上表面平齐,所述小导轮的表面上间隔设置有若干线槽,所述金刚线自两个小导轮的上表面绕过并分别位于所述小导轮上的线槽内,两个小导轮之间为切割区域,所述金刚线可双向运动。本发明的装置,在