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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107901256A(43)申请公布日2018.04.13(21)申请号201711129042.5(22)申请日2017.11.15(71)申请人山东大海新能源发展有限公司地址257300山东省东营市广饶县经济开发区綦公路以北西康路以西(72)发明人刘坤张鹏飞张健(74)专利代理机构济南舜源专利事务所有限公司37205代理人苗峻孙亚琳(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)B28D5/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称金刚线切割多晶硅片的装置及切割方法(57)摘要本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的装置及切割方法。金刚线切割多晶硅片的装置,包括切割机,所述切割机包括有两个间隔设置的大导轮、绕设在两个大导轮之间的若干根金刚线、用于喷冷却液的冷却液喷嘴,其特征是:在两个所述大导轮的上方位置平行设置有两个直径小于所述大导轮直径的小导轮,两个所述小导轮位于两个所述大导轮之间内侧且两个所述小导轮的上表面平齐,所述小导轮的表面上间隔设置有若干线槽,所述金刚线自两个小导轮的上表面绕过并分别位于所述小导轮上的线槽内,两个小导轮之间为切割区域,所述金刚线可双向运动。本发明的装置,在切割过程中线网平衡,切割过程中不易产生断线,能够提高硅片成品率。CN107901256ACN107901256A权利要求书1/2页1.一种金刚线切割多晶硅片的装置,包括切割机,所述切割机包括有两个间隔设置的大导轮(1)、绕设在两个大导轮(1)之间的若干根金刚线、用于喷冷却液的冷却液喷嘴,其特征是:在两个所述大导轮(1)的上方位置平行设置有两个直径小于所述大导轮(1)直径的小导轮(4),两个所述小导轮(4)位于两个所述大导轮(1)之间内侧且两个所述小导轮(4)的上表面平齐,所述小导轮(4)的表面上间隔设置有若干线槽,所述金刚线自两个小导轮(4)的上表面绕过并分别位于所述小导轮(4)上的线槽内,两个小导轮(4)之间为切割区域,所述金刚线可双向运动。2.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅片的装置,其特征是:所述大导轮(1)、小导轮(4)的材质均为聚氨酯树脂,邵氏硬度大于93。3.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅片的装置,其特征是:所述金刚线为电镀金刚线,金刚线外径为65-75微米,金刚石颗粒粒径为6-10微米,金刚石露在镀层外面的高度为4-6微米,金刚线上的金刚石间隔均匀设置,单面金刚石颗粒数在60-80颗。4.根据权利要求1或2或3所述的金刚线切割多晶硅片的装置,其特征是:所述冷却液喷嘴为帘状喷嘴结构,所述冷却液喷嘴包括冷却液导槽(6)、设置在所述冷却液导槽(6)前端的挡板(7)、倾斜设置在所述冷却液导槽(6)前端下部并与所述冷却液导槽(6)前端连接的导流板(8),所述导流板(8)的下端具有向上弯曲的弧形缓冲槽(9),所述挡板(7)下部与所述冷却液导流槽(6)之间具有条形的冷却液通道(10)。5.一种利用权利要求1所述的金刚线切割多晶硅片的装置进行切割多晶硅片的方法,待切割硅块通过胶粘剂粘接在树脂板上,所述树脂板粘接在晶拖上,待切割的硅块置于金刚线网上,通过金刚线对硅块进行切割,其特征是:所述胶粘剂为双组份环氧树脂AB胶胶粘剂,所述胶粘剂中的A组分与B组分的重量比例配比为1:1,混合均匀后涂在粘接面上,用量为每平方厘米0.005-0.006g,待切割硅块粘接在树脂板上静置4-6小时后再进行切割;切割时将待切割硅块置于两个所述小导轮(4)之间上方,金刚线进行双向切割;切割过程中通过冷却液喷嘴喷出冷却液进行冷却。6.根据权利要求5所述的切割多晶硅片的方法,其特征是:在初始切割时,金刚线在一个往复周期内其送线的距离大于回线的距离,在切割至靠近硅块的粘接面一定距离时,金刚线在一个往复周期内其送线的距离小于回线的距离。7.根据权利要求6所述的切割多晶硅片的方法,其特征是:由硅块的初始切割位置切割至总切割深度的80%时,金刚线在一个往复周期内其送线的距离小于回线的距离。8.根据权利要求5或6或7所述的切割多晶硅片的方法,其特征是:所述金刚线为电镀金刚线,金刚线外径为65-75微米,金刚石颗粒粒径为6-10微米,金刚石露在镀层外面的高度为4-6微米,金刚线上的金刚石间隔均匀设置,单面金刚石颗粒数在60-80颗。9.根据权利要求5或6或7所述的切割多晶硅片的方法,其特征是:所述冷却液喷嘴为帘状喷嘴结构,所述冷却液喷嘴包括冷却液导槽(6)、设置在所述冷却液导槽(6)前端的挡板(7)、倾斜设置在所述冷却液导槽(6)前端下部并与所述冷却液导槽(6)前端连接的导流板(8),所述导流板(8)的下端具有向上弯曲的弧形缓冲槽(9),所述挡板(7)下部与所述冷却液导流