一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107378802A(43)申请公布日2017.11.24(21)申请号201710625665.5(22)申请日2017.07.27(71)申请人郑州磨料磨具磨削研究所有限公司地址450000河南省郑州市高新区梧桐街121号(72)发明人赵炯赵延军吴晓磊(74)专利代理机构郑州睿信知识产权代理有限公司41119代理人胡云飞(51)Int.Cl.B24D3/10(2006.01)B24D3/28(2006.01)B24D18/00(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图1页(54)发明名称一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法，属于磨具技术领域。本发明的用于QFN封装芯片切割的砂轮包括芯层以及设置在芯层两侧表面上的表层；所述表层包括表层金刚石及如下重量份数的组分：55～65份的酚醛树脂或环氧树脂、10～15份碳化钨、3～6份立方氮化硼。本发明的砂轮兼具树脂结合剂和金属结合剂的优点，具有切割质量优异，砂轮刚性好、适宜高速切割，砂轮自锐性佳，使用寿命长的特点。在QFN封装芯片切割时铜引线拉毛及切割崩口小，无熔锡、芯片分层现象，砂轮切割速度可达200mm/s以上，能满足QFN高速切割要求，且砂轮寿命显著提高，此外，芯层及表层磨损速率匹配，砂轮刃口形状保持性良好。CN107378802ACN107378802A权利要求书1/1页1.一种用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，包括芯层以及设置在芯层两侧表面上的表层；所述表层包括表层金刚石及如下重量份数的组分：55～65份的酚醛树脂或环氧树脂、10～15份碳化钨、3～6份立方氮化硼。2.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述表层中表层金刚石的质量分数为50％～60％。3.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述表层金刚石的粒度为200/230目、230/270目、270/325目或325/400目。4.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，表层中的碳化钨的粒度为38～45μm。5.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，立方氮化硼微粉的粒度为10～20μm。6.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层包括金属结合剂和芯层金刚石，所述金属结合剂包括如下重量份数的组分：30～40份铜铈合金、15～20份铜镧合金、5～16份锡粉、2～4重量份的氢化钛、3～5重量份的氯化钾。7.如权利要求6所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层中芯层金刚石的质量百分比为5-10％。8.如权利要求6所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层金刚石的粒径与表层金刚石的粒径相等。9.如权利要求1-8任意一项所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层两侧的两个表层的厚度相同、质量相同。10.一种如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将表层金刚石及各组分的粉料混合均匀，加入模具中并形成粉料层，在粉料层表面放置芯层，热压成型得砂轮毛坯；2)将步骤1)得到的砂轮毛坯进行固化处理：在110-130℃保温10-30min，然后在180-200℃保温4-6h，冷却，即得。11.如权利要求10所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮的制备方法，其特征在于，步骤1)中热压温度为170-220℃，热压时间15-25min，热压压力为10-25MPa。2CN107378802A说明书1/8页一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法，属于磨具技术领域。背景技术[0002]终端类电子产品对更轻、更薄、更小、高可靠性、低功耗的追求不断推动着半导体封装技术的发展。例如，其中的一种芯片封装QFN(QuadFlatNo-Leal)封装即方形扁平无引脚封装，是近年来在手机、数码相机等终端类产品中广泛应用的新型高端封装形式。QFN封装芯片作为封装产品，一般由内部铜引线框架及外部塑压树脂基包覆体构成，为复合材料结构。现代大规模工业生产中，QFN封装芯片制造时为多个芯片同时封装，后续通过切割工序实现芯片单体化，对切割质量的要求为：无熔锡、无芯片分层现象，芯片切割崩口及芯片铜引线拉毛尺寸小于规定值。QFN封装芯片的复合结构，使得切割时需要同时切断内部铜引线框架及外部树脂基包裹体，然而由于铜材料极佳的延展性，导致切割时铜引线易产生拉毛超标(大于引脚间距1/4)，造成芯片报废。[0003]目前，QFN封装芯片切割用砂轮主要为树