轻型传感器件及其制造方法.pdf
Do****76
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轻型传感器件及其制造方法.pdf
本申请涉及一种轻型传感器件及其制造方法,其中,轻型传感器件可以包括:紧固孔,其穿过轻型传感器构件的中心形成,以将轻型传感器构件紧固到凸轮轴;多个检测突出部,其形成在轻型传感器构件的外周表面,检测突出部的每个都相对于所述紧固孔具有特定的角度形状。
声波器件及其制造方法.pdf
本申请提供声波器件及其制造方法,其中,声波器件包括多个体声波谐振结构,每个体声波谐振结构,包括:衬底;依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;多个凸块,均位于所述压电层上且围绕所述第二电极层周向布置;所述凸块与所述第二电极层具有预设距离,所述预设距离取决于所述体声波谐振结构与其它体声波谐振结构的连接方式。
闪存器件及其制造方法.pdf
本发明提供一种闪存器件及其制造方法,提供衬底,衬底上形成有第一、二存储单元结构,第一、二存储单元结构控制栅多晶硅层、硬掩膜层的侧壁上,形成有第一、二层间介质层,两相近一侧的第二层间介质层、浮栅多晶硅层上均形成有隧穿氧化层,隧穿氧化层上形成有字线多晶硅;研磨字线多晶硅至控制栅多晶硅的上方;刻蚀去除第一、二存储单元结构的两侧部分结构;刻蚀去除剩余的硬掩膜层,使得其下方的字线多晶硅、控制栅多晶硅层裸露;在裸露的字线多晶硅、控制栅多晶硅上均形成金属硅化物。本发明通过研磨将存储单元结构高度做低,通刻蚀去除控制栅上残
VDMOS器件及其制造方法.pdf
本发明提供一种VDMOS器件及其制造方法,所述器件包括结构相同的元胞单元;各元胞单元构成元胞水平结构;所述元胞水平结构,包括:若干个并列的源区,和围绕各所述源区的栅极区;各所述栅极区于延伸方向上交汇重叠形成栅极交汇区,其余的形成栅极非交汇区;于所述栅极交汇区设有分隔区;于所述元胞单元对应所述栅极非交汇区设有JFET区;于所述元胞单元对应所述分隔区设有JFET隔断区;所述JFET隔断区处不同导电类型的掺杂离子浓度差大于所述JFET区处浓度差,使栅极交汇区于斜线方向上的耗尽层易于扩展,从而耗尽层更易于接触和融
MEMS器件及其制造方法.pdf
本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法,该制造方法包括:在第一衬底上形成牺牲层;在牺牲层上形成功能层;在功能层的表面的键合区上形成金属保护层;去除部分功能层形成第一通道;经由第一通道去除部分牺牲层形成空腔,以释放部分功能层形成可移动质量块;形成第一有机膜,第一有机膜覆盖金属保护层、功能层的表面、第一通道与空腔的内表面;加热第一有机膜,以使金属保护层上的第一有机膜的有机分子被破坏;以及去除金属保护层,以暴露键合区。该制造方法通过去除金属保护层将其上的有机膜去除,从而暴露出键合区,其他区域的有机膜被保留,兼