曝光设备以及曝光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108490742A(43)申请公布日2018.09.04(21)申请号201810278623.3(22)申请日2018.03.30(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430070湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人桂宇畅(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304代理人孙伟峰黄进(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称曝光设备以及曝光方法(57)摘要本发明公开了一种曝光设备，包括用于承载基板的载物平台和设置于所述载物平台上方的曝光装置，所述载物平台和所述曝光装置被配置为能在第一方向上彼此相对运动，所述曝光装置包括光源单元、图像传感器和控制单元，所述控制单元控制所述图像传感器获取所述基板的表面轮廓的图像信息，并根据所述图像信息确定曝光作业的聚焦位置，所述控制单元根据确定的聚焦位置控制所述光源单元对所述基板进行曝光作业；其中，所述图像传感器在垂直于所述第一方向的第二方向上具有一定的长度，以使所述图像传感器在所述第二方向上形成线状扫描的方式获取所述图像信息。本发明还公开了一种曝光方法，应用如上所述的曝光设备对基板进行曝光。CN108490742ACN108490742A权利要求书1/1页1.一种曝光设备，包括用于承载基板的载物平台和设置于所述载物平台上方的曝光装置，所述载物平台和所述曝光装置被配置为能在第一方向上彼此相对运动，其特征在于，所述曝光装置包括光源单元、图像传感器和控制单元，所述控制单元控制所述图像传感器获取所述基板的表面轮廓的图像信息，并根据所述图像信息确定曝光作业的聚焦位置，所述控制单元根据确定的聚焦位置控制所述光源单元对所述基板进行曝光作业；其中，所述图像传感器在垂直于所述第一方向的第二方向上具有一定的长度，以使所述图像传感器在所述第二方向上形成线状扫描的方式获取所述图像信息。2.根据权利要求1所述的曝光设备，其特征在于，所述图像传感器在所述第二方向上的长度为5～30μm。3.根据权利要求2所述的曝光设备，其特征在于，所述图像传感器在所述第二方向上的长度为5～20μm。4.根据权利要求1-3任一所述的曝光设备，其特征在于，所述曝光装置包括两列所述图像传感器，两列所述图像传感器在所述第一方向上分别位于所述光源单元的两侧，每一列所述图像传感器包括沿所述第二方向依次排列的多个图像传感器。5.根据权利要求4所述的曝光设备，其特征在于，每一列所述图像传感器中，靠近两端区域的相邻两个图像传感器的间距小于位于中间区域的相邻两个图像传感器的间距。6.根据权利要求1所述的曝光设备，其特征在于，所述光源单元包括沿所述第一方向排列的两列光线照射部，每一列光线照射部分别包括沿所述第二方向依次排列的多个光线照射部；其中一列光线照射部的每一个光线照射部对应于另一列光线照射部的间隔区域。7.一种曝光方法，应用如权利要求1-3任一所述的曝光设备对基板进行曝光，其特征在于，所述曝光方法包括步骤：将所述基板装载于所述载物平台上；控制所述载物平台和所述曝光装置沿第一方向上彼此相对运动；控制所述图像传感器在第二方向上以线状扫描的方式获取所述基板的表面轮廓的图像信息；根据所述图像信息确定曝光作业的聚焦位置；根据确定的聚焦位置控制所述光源单元对所述基板进行曝光作业。8.根据权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述图像传感器在第二方向上进行线状扫描的扫描宽度为5～30μm。9.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述图像传感器在第二方向上进行线状扫描的扫描宽度为5～20μm。10.根据权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述控制单元将所述图像信息与预设的曝光图形进行拟合，确定曝光作业的聚焦位置。2CN108490742A说明书1/4页曝光设备以及曝光方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种曝光设备以及曝光方法。背景技术[0002]半导体集成电路制造光刻工艺中，首先通过曝光设备(ExposureEquipment)将掩模板上的图案转移到半导体基板的光刻胶层中，形成光刻胶图案；然后以该光刻胶图案作为掩模层，对半导体基板执行后续的刻蚀工艺。[0003]曝光设备在工作时，曝光光源发出的光经过准直后投射于具有半导体集成电路器件某一层图案的掩模板上，穿过该掩模板的光携带有图案的信息，光穿过所述掩模板后，经过成像系统，投射在半导体基板的光刻胶层上，使光刻胶层感光。由于焦距(聚焦位置)变化会引起形成的光刻胶图案的轮廓的变化，进而引起线宽发生变化，而光刻胶图案的线宽以及轮廓会直接影响后续的刻蚀工艺，因而，曝光设备聚焦位置的确定显得尤为重要。[0004]