碳化硅晶棒切片设备及碳化硅晶棒的切片方法.pdf
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相关资料
碳化硅晶棒切片设备及碳化硅晶棒的切片方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅晶棒切片设备及碳化硅晶棒的切片方法,碳化硅晶棒切片设备包括摇摆式线切割装置与用来固定碳化硅晶棒的工作台。摇摆式线切割装置包含固定座、设置于固定座且能相对摆动的摆动台、多个滚轮、以至少1510米/分的线速度可移动地绕设于上述多个滚轮的切割线。上述多个滚轮共同定义有供碳化硅晶棒通过的切片通道,切割线位于切片通道上的部位彼此平行地间隔排列并定义为多个操作线段。在碳化硅晶棒开始被多个操作线段切割的过程中,摆动台相对于固定座摆动,工作台能以调整式进给速度移动,调整式进给速度是由初始速度逐渐降低
晶棒切片方法.pdf
本发明公开了一种晶棒切片方法,按以下步骤进行:粘棒:使晶棒、垫板和晶托之间粘结牢固;装料:将载有晶棒的晶托固定在金刚线切片机的切割室内的升降台上,切割室内平行设置有两个导线轮,两导线轮上缠绕有金刚线,升降台上具有沿导线轮轴线方向延伸的定位滑槽,晶托上具有适于与定位滑槽相配合的定位滑块,定位滑块与定位滑槽插接配合到位后将定位滑块在定位滑槽内锁定从而完成晶托的固定;切片:装料步骤完成后,启动金刚线切片机进行切片;卸料,切片步骤完成后将晶托从升降台上卸下转移至下一工位;卸料步骤中采用卸料装置卸料。本发明中在卸料
一种硅晶棒的处理方法及切片方法.pdf
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种硅晶棒的处理方法及切片方法。本发明公开了硅晶棒的处理方法,包括:对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理,去除所述硅晶棒表面的氧化层;对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定,使用粒度为#200~#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理,形成槽区;使用粒度为#700~#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨;在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理,去除所述槽区内的表面损伤。本发明还公开了利用上述方法处理硅晶棒后,进行多线切割,形成硅片的切片方法。本发明的硅晶棒处理方法可以形成无损伤的开槽
晶棒测试设备及晶棒电学性能的测试方法.pdf
本申请实施例提供一种晶棒测试设备及晶棒电学性能的测试方法,晶棒测试设备包括运输机构;夹持机构,夹持机构的一端与运输机构连接,夹持机构具有夹持端,夹持端用于夹持电性检测设备,且夹持机构相对于运输机构的位置可调整,以使夹持端达到检测工位,使电性检测设备对位于检测工位的晶棒进行检测,并在检测完成后使夹持端离开检测工位。本申请实施例至少可以提高对晶棒进行电学性能检测的效率并减少检测结果的误差。
晶棒治具及晶棒研磨方法.pdf
本发明提供了一种晶棒治具及晶棒研磨方法,涉及晶棒研磨相关设备的技术领域,该晶棒治具包括底座,底座上设置有多个高度调节机构,每个高度调节机构的一端设置有安装部,安装部用于安装晶棒。本发明通过在底座上设置多个高度调节机构,且多个高度调节机构能够对其各自的安装部的高度进行调节,相应的,可通过调节每个高度调节机构使得安装部上的晶棒的端面处于同一高度,如此,可将多根晶棒的端面同时与砂轮研磨面调整到合适位置,因此在端面研磨机上,进行一次治具的安装后,可进行多根晶棒的研磨,提高了端面研磨机的磨削效率。