一种硅晶棒的处理方法及切片方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110385606A(43)申请公布日2019.10.29(21)申请号201910706338.1(22)申请日2019.08.01(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人曹泽域(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人刘伟蔡丽(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24D5/00(2006.01)B24D5/12(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种硅晶棒的处理方法及切片方法(57)摘要本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种硅晶棒的处理方法及切片方法。本发明公开了硅晶棒的处理方法，包括：对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理，去除所述硅晶棒表面的氧化层；对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定，使用粒度为#200～#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理，形成槽区；使用粒度为#700～#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨；在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理，去除所述槽区内的表面损伤。本发明还公开了利用上述方法处理硅晶棒后，进行多线切割，形成硅片的切片方法。本发明的硅晶棒处理方法可以形成无损伤的开槽，降低裂片形成几率。CN110385606ACN110385606A权利要求书1/1页1.一种硅晶棒的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理，去除所述硅晶棒表面的氧化层；对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定，使用粒度为#200～#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理，形成槽区；使用粒度为#700～#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨；在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理，去除所述槽区内的表面损伤。2.根据权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述第一砂轮的外周呈双斜面的V型，所述双斜面的夹角为50～60°。3.根据权利要求2所述处理方法，其特征在于，所述第一砂轮的粒度为#300～#320。4.根据权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述第二砂轮的外周呈双斜面的V型，所述双斜面的夹角为90～92°。5.根据权利要求4所述处理方法，其特征在于，所述第二砂轮的粒度为#800～#820。6.根据权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述预定长度为400～450mm。7.根据权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述混合酸为氢氟酸、硝酸和醋酸的混合物，氢氟酸、硝酸和醋酸的体积比为(30～40)：(15～20)：(2～10)。8.根据权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述腐蚀处理的时间为40～80秒，温度为20～40℃。9.根据权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述槽区为V型槽。10.一种切片方法，其特征在于，包括以下步骤：利用权利要求1～9任意一项所述的处理方法对硅晶棒进行处理；将处理后的硅晶棒进行多线切割，得到硅片。2CN110385606A说明书1/4页一种硅晶棒的处理方法及切片方法技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种硅晶棒的处理方法及切片方法。背景技术[0002]硅片成形是指将硅棒制成硅晶片的工艺过程。主要包括切片、结晶定位、晶边圆磨、化学刻蚀、缺陷聚集及各步骤之间所需的清洗过程。[0003]其中，切片决定了晶片的几个重要规格：表面晶相、晶片厚度、晶面斜度、曲度。[0004]目前，采用多线切割法进行切片最为普遍。在多线切割硅晶棒前，需要对硅晶棒进行处理，具体包括：去除硅晶棒表面的氧化层，使硅晶棒形成直径均一的圆柱，然后使用#200V型砂轮快速在硅晶棒的边缘开槽，开槽可指示晶相以及定位切割位置。[0005]由于#200V型砂轮表面比较粗糙，在开槽过程中会留下很深的研削痕迹甚至由研削痕迹向更深处延伸而形成研削损伤。带有研削痕迹或者研削损伤的硅晶棒通过线切割成为单枚硅片后，硅片会立即沿着损伤处开裂，形成裂片。出现裂片的机率一般为千分之三左右。发明内容[0006]本发明要解决的技术问题是提供一种硅晶棒的处理方法及切片方法，硅晶棒的处理方法用于多线切割前，可以形成无损伤的开槽，降低裂片形成几率。[0007]本发明公开了一种硅晶棒的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：[0008]对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理，去除所述硅晶棒表面的氧化层；[0009]对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定，使用粒度为#200～#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理，形成槽区；[0010]使用粒度为#700～#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨；[0011]在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理，去除所述槽区内的表面损伤。[0012]优选地，所述第一砂轮的外周呈双斜面的V型，所述双斜面的夹角为50～