预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共14页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110509132A(43)申请公布日2019.11.29(21)申请号201910885512.3(22)申请日2019.09.19(71)申请人福建北电新材料科技有限公司地址362200福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦(72)发明人苏双图张洁林武庆赖柏帆(74)专利代理机构北京超成律师事务所11646代理人陈治位(51)Int.Cl.B24B7/16(2006.01)B24B7/22(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B41/02(2006.01)B24B53/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称晶棒治具及晶棒研磨方法(57)摘要本发明提供了一种晶棒治具及晶棒研磨方法,涉及晶棒研磨相关设备的技术领域,该晶棒治具包括底座,底座上设置有多个高度调节机构,每个高度调节机构的一端设置有安装部,安装部用于安装晶棒。本发明通过在底座上设置多个高度调节机构,且多个高度调节机构能够对其各自的安装部的高度进行调节,相应的,可通过调节每个高度调节机构使得安装部上的晶棒的端面处于同一高度,如此,可将多根晶棒的端面同时与砂轮研磨面调整到合适位置,因此在端面研磨机上,进行一次治具的安装后,可进行多根晶棒的研磨,提高了端面研磨机的磨削效率。CN110509132ACN110509132A权利要求书1/1页1.一种晶棒治具,其特征在于,包括底座,所述底座上设置有多个高度调节机构,每个所述高度调节机构的一端设置有安装部,所述安装部用于安装晶棒,所述高度调节机构用于调节所述安装部相对所述底座的高度,以使多个所述安装部上安装的晶棒的端面处于同一高度。2.根据权利要求1所述的晶棒治具,其特征在于,所述高度调节机构为带有螺帽的调节螺栓,所述螺帽远离螺纹柱的一端具有用于粘结晶棒的平面,所述调节螺栓的螺帽形成所述安装部;所述底座上设置有螺纹孔,所述调节螺栓的螺纹柱螺接在所述螺纹孔内。3.根据权利要求1或2所述的晶棒治具,其特征在于,所述晶棒治具还包括砂轮修整块,所述砂轮修整块安装在所述底座上,且所述砂轮修整块能够相对所述底座进行高度调节。4.根据权利要求3所述的晶棒治具,其特征在于,多个所述高度调节机构排列成两行;所述砂轮修整块包括两块,每块所述砂轮修整块与所述高度调节机构的每行的方向平行设置,其中一块所述砂轮修整块设置在所述高度调节机构的其中一行的远离另一行的一侧,另一块所述砂轮修整块设置在所述高度调节机构的另一行的远离其中一行的一侧。5.根据权利要求3所述的晶棒治具,其特征在于,所述底座上设置有安装槽,所述砂轮修整块安装在所述安装槽内,且所述砂轮修整块能够沿所述安装槽移动,以进行高度调节;所述底座上的对应所述安装槽的位置上设置有限位件,所述限位件用于在所述砂轮修整块移动到位时,将所述砂轮修整块与所述底座相对固定。6.根据权利要求5所述的晶棒治具,其特征在于,所述限位件为限位螺栓,且所述限位螺栓的螺杆部能够穿入所述安装槽内与所述砂轮修整块抵接。7.根据权利要求1或2所述的晶棒治具,其特征在于,所述晶棒治具还包括定位板,所述定位板用于与所述安装部上安装的晶棒的端面抵接,以检测多个所述安装部上安装的晶棒的端面。8.根据权利要求7所述的晶棒治具,其特征在于,所述晶棒治具还包括多根调高杆,所述多根调高杆安装在所述底座上,所述多根调高杆的顶端用于支撑所述定位板,并调节所述定位板的平面度。9.根据权利要求8所述的晶棒治具,其特征在于,所述调高杆包括上套杆和下套杆,所述上套杆与所述下套杆通过螺纹部螺纹套接;且所述螺纹部上设置有刻度。10.一种晶棒研磨方法,基于权利要求1-9任一项所述的晶棒治具,其特征在于,所述晶棒研磨方法包括:将多个晶棒分别采用粘结的形式固定在治具的高度调节机构的安装部上,且每个高度调节机构至多设置一个晶棒;调整高度调节机构,使多个晶棒的端面位于同一高度;使用端面研磨机对多个晶棒的端面进行研磨。2CN110509132A说明书1/7页晶棒治具及晶棒研磨方法技术领域[0001]本发明涉及晶棒研磨相关设备的技术领域,尤其是涉及一种晶棒治具及晶棒研磨方法。背景技术[0002]碳化硅是继第一代半导体Si(硅)、第二代半导体GaAs(砷化镓),InP(磷化铟)等之后发展起来的重要的第三代半导体材料,具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高和相对介电常数低等的特点,在高温、高频、大功率、微电子器件等方面和航天、军工、核能等极端环境应用中有着不可替代的优势,因此,碳化硅是微电子、电力电子和光电子等高新技术持续发展的重要半导体材料之一。近年来迅速渗透到照明,电力器件,微波射频等,其中,在功率器件的制造和外延