预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共28页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108700275A(43)申请公布日2018.10.23(21)申请号201780013022.3(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所(22)申请日2017.02.2311247代理人杨晓光于静(30)优先权数据62/299,1632016.02.24US(51)Int.Cl.F21V8/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2018.08.23(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2017/0191782017.02.23(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/147322EN2017.08.31(71)申请人奇跃公司地址美国佛罗里达州(72)发明人K·库尔蒂斯权利要求书2页说明书13页附图12页(54)发明名称用于光发射器的低轮廓互连(57)摘要在一些实施例中,互连将光发射器电连接到基板上的布线。该互连可以通过3D打印沉积并平放在光发射器和基板上。在一些实施例中,互连具有大致矩形或椭圆形的横截面轮廓,并且在光发射器上方延伸至约50μm或更小、或者约35μm或更小的高度。该小高度允许覆盖的光学结构与光发射器之间的紧密间隔,从而提供从光发射器到光学结构(诸如光管)的光注入的高效率。CN108700275ACN108700275A权利要求书1/2页1.一种照明系统,包括:基板,其包括基板接合衬垫;附到所述基板上的光发射器,所述光发射器包括光发射器接合衬垫;位于所述光发射器上的电互连,所述电互连在所述电互连的一端接触所述光发射器接合衬垫并在所述电互连的另一端接触所述基板接合衬垫,其中如在横切所述电互连的伸长轴的平面中观察,所述电互连的横截面形状具有大于所述横截面形状的高度的宽度。2.根据权利要求1所述的照明系统,其中位于所述光发射器上的所述电互连的最大高度为50μm或更小。3.根据权利要求1所述的照明系统,其中所述电互连保形地遵循所述光发射器的外形。4.根据权利要求3所述的照明系统,其中所述光发射器限定位于所述基板上的台阶,其中所述电互连遵循所述台阶的外形。5.根据权利要求1所述的照明系统,其中所述横截面形状是矩形。6.根据权利要求1所述的照明系统,其中所述电互连包括金属。7.根据权利要求1所述的照明系统,其中所述光发射器是LED芯片。8.根据权利要求1所述的照明系统,其中所述基板是印刷电路板。9.根据权利要求1所述的照明系统,还包括位于所述光发射器与所述电互连之间的电介质层。10.根据权利要求1所述的照明系统,其中所述光发射器还包括其它光发射器接合衬垫和其它电互连,所述其它电互连在所述其它电互连的一端接触所述其它光发射器接合衬垫并在所述电互连的另一端接触其他基板接合衬垫。其中如在横切所述电互连的伸长轴的平面中观察,所述其它电互连的横截面形状具有大于高度的宽度。11.根据权利要求1所述的照明系统,还包括位于所述光发射器的暴露表面上的光管。12.根据权利要求11所述的照明系统,还包括:光调制装置,其被配置为接收来自所述光管的光;以及波导堆叠,每个波导包括光耦入光学元件,所述光耦入光学元件被配置为接收来自所述光调制装置的光。13.根据权利要求12所述的照明系统,还包括多个所述光管,每个光管被配置为将光传输至所述光调制装置。14.根据权利要求1所述的照明系统,还包括位于所述光发射器的暴露表面上的反射器。15.根据权利要求14所述的照明系统,还包括:光调制装置,其被配置为接收来自所述反射器的光;以及波导堆叠,每个波导包括光耦入光学元件,所述光耦入光学元件被配置为接收来自所述光调制装置的光。16.根据权利要求14所述的照明系统,还包括多个反射器,每个反射器被配置为将光引导至所述光调制装置。17.一种制造照明装置的方法,包括:2CN108700275A权利要求书2/2页在包括基板接合衬垫的基板上提供光发射器,所述光发射器包括光发射器接合衬垫;在所述光发射器上沉积电互连,并且所述电互连与所述光发射器接合衬垫和所述基板接合衬垫接触。18.根据权利要求17所述的方法,其中沉积所述电互连包括3D打印所述电互连。19.根据权利要求17所述的方法,还包括在沉积所述电互连之前在所述光发射器上沉积电介质材料。20.根据权利要求17所述的方法,其中沉积所述电介质材料包括3D打印所述电介质材料。21.根据权利要求17所述的方法,其中沉积所述电互连包括沉积金属。22.根据权利要求17所述的方法,其中所述光发射器是LED芯片。23.根据权利要求17所述的方法,其中位于所述光发射器上的所述电互连的最大高度为50μm或更小。24.根据权利要求17所述的方法,还包括将光管耦接到所述光发射器,其中所述光管的光输入表面面对所述光发射器的暴露表面。25.根据权利要