低轮廓局部互连及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103563086103563086A(43)申请公布日2014.02.05(21)申请号201280025984.8(51)Int.Cl.(22)申请日2012.03.12H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)(30)优先权数据H01L21/28(2006.01)13/169,0812011.06.27US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2013.11.27(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0287082012.03.12(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/002851EN2013.01.03(71)申请人国际商业机器公司地址美国纽约阿芒克(72)发明人S.波诺思D.V.霍拉克C.W.科伯格杨智超(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人焦玉恒权权利要求书2页利要求书2页说明书7页说明书7页附图9页附图9页(54)发明名称低轮廓局部互连及其制造方法(57)摘要本发明的实施例提供一种结构。该结构包括：多个场效应晶体管，这些场效应晶体管具有形成在半导体基板的顶部上的栅极堆叠，栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁；以及一个或多个导电接触，直接形成在半导体基板的顶部上，并且将多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极互连到多个场效应晶体管的另一个的至少一个源极/漏极，其中一个或多个导电接触是低轮廓局部互连的一部分，低轮廓局部互连的高度低于栅极堆叠的高度。CN103563086ACN103568ACN103563086A权利要求书1/2页1.一种结构，包括：多个场效应晶体管（100a、100b、100c），具有形成在半导体基板（101）顶部上的栅极堆叠（106），所述栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁（201）；以及一个或多个导电接触（601、602），直接形成在所述半导体基板的顶部上，并且将所述多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极（202）互连到另一个所述多个场效应晶体管的至少一个源极/漏极（202），其中所述一个或多个导电接触是低轮廓局部互连（LPLI）的一部分，所述LPLI的高度低于所述栅极堆叠的高度。2.如权利要求1所述的结构，其中所述LPLI的所述一个或多个导电接触形成为直接相邻于所述栅极堆叠的所述间隙壁。3.如权利要求1所述的结构，还包括一个或多个过孔（501a、501b，图6），形成在所述一个或多个导电接触的顶部上且直接毗邻所述栅极堆叠的所述间隙壁。4.如权利要求3所述的结构，其中所述一个或多个过孔由与所述一个或多个导电接触的材料相同的材料制成，并且与所述栅极堆叠的所述高度具有相同的高度。5.如权利要求3所述的结构，其中所述栅极堆叠包括在其顶部上的盖层（105），还包括：导电通路线（801、802），直接形成在所述LPLI的所述一个或多个导电接触的上方但不与其接触，所述导电通路线形成在至少一个所述栅极堆叠的所述盖层的顶部上且与其接触。6.如权利要求5所述的结构，其中所述导电通路线通过电介质材料层（701）与其下的所述一个或多个导电接触绝缘。7.如权利要求5所述的结构，其中所述导电通路线与所述一个或多个过孔中的至少一个接触，并且通过所述一个或多个过孔电连接到所述一个或多个导电接触中的至少一个。8.如权利要求5所述的结构，其中所述导电通路线（801）通过至少一个所述栅极堆叠的顶部上的所述盖层中形成的开口与该至少一个栅极堆叠接触，所述开口填充有导电材料（804）。9.一种结构，包括：多个场效应晶体管（100a、100b、100c），具有形成在半导体基板（101）的顶部上的栅极堆叠（106），所述栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁（201）；以及低轮廓局部互连（LPLI）（601、602），直接形成在所述半导体基板的顶部上，所述LPLI具有一个或多个导电接触（601、602），该一个或多个导电接触（601、602）将所述多个场效应晶体管中的一个场效应晶体管的源极/漏极（202）互连到所述多个场效应晶体管中的至少另一个场效应晶体管的源极/漏极（202），其中所述LPLI的高度低于所述栅极堆叠的高度。10.如权利要求9所述的结构，其中所述LPLI的所述一个或多个导电接触直接形成为与所述栅极堆叠的所述间隙壁的下部（图6）相邻。11.如权利要求9所述的结构，还包括一个或多个过孔（501a、501b），无缝地形成在所述一个或多个导电接触的顶部上且直接与所述栅极堆叠的所述间隙壁毗邻，所述一个或多个过孔由与所述一个或多个导电接触的材料相同的材料制成，并且与所述栅极堆叠的所述2CN103563086A权利要求书2/2页高度具有相同的高度。12.如权利要求11所述的结构，