互连结构的蚀刻轮廓控制.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108807263A(43)申请公布日2018.11.13(21)申请号201711350343.0(22)申请日2017.12.15(30)优先权数据62/491,6462017.04.28US15/725,9722017.10.05US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人柯宇伦邱意为张宏睿郭昱纬(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/522(2006.01)H01L23/528(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图13页(54)发明名称互连结构的蚀刻轮廓控制(57)摘要一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；以及在金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层。该方法进一步包括在ILD层上方形成沟槽蚀刻开口，在沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层，以及在覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。CN108807263ACN108807263A权利要求书1/1页1.一种形成互连结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成低温氧化物层；在所述低温氧化物层上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层中形成通孔蚀刻开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述覆盖层中形成所述通孔蚀刻开口包括：在所述覆盖层上沉积光刻胶层；以及穿过所述光刻胶层中的图案来蚀刻所述覆盖层。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述层间介电层中且在所述金属氧化物层上形成通孔；以及穿过所述通孔蚀刻所述金属氧化物层的部分。4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述通孔中沉积导电材料。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述通孔的侧壁与水平轴形成70°至80°的角度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层包括氧化物材料。7.根据权利要求1的方法，其中，所述金属氧化物层包括铬、铝、钛、锡、锌、镁或银。8.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成沟槽蚀刻开口；在所述沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述覆盖层和所述沟槽蚀刻开口之间形成低温氧化物层。10.一种集成电路，包括：半导体器件，包括接触件结构；以及互连结构，连接至所述接触件结构，所述互连结构包括：蚀刻停止层，设置在所述半导体器件上方；金属氧化物层，设置在所述蚀刻停止层上方；层间介电(ILD)层，设置在所述金属氧化物层上；以及导电通孔，设置在所述金属氧化物层和所述层间介电层内。2CN108807263A说明书1/11页互连结构的蚀刻轮廓控制技术领域[0001]本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。背景技术[0002]随着半导体技术的进步，对于较高存储电容、较快处理系统、较高性能和较低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体产业持续地按比例缩小诸如包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(FinFET)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体器件的尺寸。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。发明内容[0003]根据本发明的一些实施例，提供了一种形成互连结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成低温氧化物层；在所述低温氧化物层上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层中形成通孔蚀刻开口。[0004]根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成沟槽蚀刻开口；在所述沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。[0005]根据本发明的又一些实施例，还提供了一种集成电路，包括：半导体器件，包括接触件结构；以及互连结构，连接至所述接触件结构，所述互连结构包括：蚀刻停止层，设置在所述半导体器件上方；金属氧化物层，设置在所述蚀刻停止层上方；层间介电(ILD)层，设置在所述金属氧化物层上；以及导电通孔，设置在所述金属氧化物层和所述层间介电层内。附图说明[0006]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面