一种低成本方硅芯切割工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108772961A(43)申请公布日2018.11.09(21)申请号201810506412.0(22)申请日2018.05.24(71)申请人江阴东升新能源股份有限公司地址214426江苏省无锡市江阴市新桥镇锦园路(72)发明人吴潮杨晓忠薛荣国袁郑堂(74)专利代理机构北京中济纬天专利代理有限公司11429代理人赵海波孙燕波(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)B28D7/00(2006.01)B28D7/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种低成本方硅芯切割工艺(57)摘要本发明涉及一种低成本方硅芯切割工艺，所述工艺包括以下步骤：步骤一、取一圆柱状或长方体状的硅锭；步骤二、在硅锭一端通过胶水粘上晶座；步骤三、将硅锭通过晶座悬挂至多线切割机床上；所述切割机床包括导轮组件和绕线轮，四组导轮组件和四个绕线轮相互交叉绕线形成方形线网；步骤四、方形线网前端进线速度为260m/min，后端收线速度为255m/min，多线切割机床的方形线网逐渐向上切割，直至完成整根硅锭的切割。本发明一种低成本方硅芯切割工艺，它通过优化导轮组件和绕线轮的结构，一方面使得导轮组件和绕线轮维修更换方便，另一方面有利于优化进线速度和出线速度，大大减少了金刚石切割线的消耗，降低了生产成本。CN108772961ACN108772961A权利要求书1/1页1.一种低成本方硅芯切割工艺，其特征在于所述工艺包括以下步骤：步骤一、取一圆柱状或长方体状的硅锭；步骤二、在硅锭一端通过胶水粘上晶座；步骤三、将硅锭通过晶座悬挂至多线切割机床上；所述切割机床包括导轮组件，所述导轮组件包括水平安装板，所述水平安装板后侧沿竖直方向设置有固定架，所述固定架上自上而下平行设置有多个横梁，所述横梁前侧自左至右间隔设置有多个卡槽，所述卡槽内设置有悬臂架，所述悬臂架上设置有导向轮；所述悬臂架包括固定块，所述固定块卡置于卡槽内，所述固定块通过连接螺栓与横梁相连接；所述固定块上设置有支撑悬臂，所述支撑悬臂向前倾斜布置，所述导向轮设置于支撑悬臂上；所述切割机床包括绕线轮，所述绕线轮包括绕线轮主体，所述绕线轮主体左右两侧设置有圆形端板，所述圆形端板外径大于绕线轮主体外径，左右两个圆形端板之间形成环形凹槽，所述环形凹槽内设置有聚氨酯套体，所述聚氨酯套体外表面均匀设置有绕线槽；所述聚氨酯套体外表面高度不超过圆形端板的外缘；所述聚氨酯套体通过注塑成型的方式包覆于绕线轮主体外表面；四组导轮组件和四个绕线轮相互交叉绕线形成方形线网；步骤四、方形线网前端进线速度为260m/min，后端收线速度为255m/min，多线切割机床的方形线网逐渐向上切割，直至完成整根硅锭的切割。2.根据权利要求1所述的一种低成本方硅芯切割工艺，其特征在于：所述水平安装板上前后平行开设有两条安装槽。3.根据权利要求1所述的一种低成本方硅芯切割工艺，其特征在于：两个圆形端板外侧中心处均设置有凸台，其中一个凸台上设置有卡头，卡头与凸台之间形成卡槽，另一个凸台上设置有支撑轴。4.根据权利要求1所述的一种低成本方硅芯切割工艺，其特征在于：所述环形凹槽表面均匀设置有锯齿纹。5.根据权利要求4所述的一种低成本方硅芯切割工艺，其特征在于：所述环形凹槽表面均匀设置有多个凹孔，所述凹孔的形状为圆形、方形或多边形。2CN108772961A说明书1/4页一种低成本方硅芯切割工艺技术领域[0001]本发明涉及一种低成本方硅芯切割工艺，属于多晶硅生产技术领域。背景技术[0002]目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级11N的多晶硅器均无法适用于厂内方硅芯的测试。[0003]目前硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法(区熔提拉法)，即把直径在20-50毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热，使其顶部局部熔化，从上部放入1根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制1根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。[0004]另一种是