斜面蚀刻轮廓控制.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110914954A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201880030307.2(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31(22)申请日2018.05.07100代理人侯颖媖张鑫(30)优先权数据62/503,1932017.05.08US(51)Int.Cl.15/654,4442017.07.19USH01L21/02(2006.01)C23C16/455(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/67(2006.01)2019.11.07(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2018/0313112018.05.07(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/208645EN2018.11.15(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人苏宗辉V·普拉巴卡尔A·A·哈贾J·李权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称斜面蚀刻轮廓控制(57)摘要提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。CN110914954ACN110914954A权利要求书1/2页1.一种方法，所述方法包括：将衬底放置在处理腔室内的盖板上，其中所述衬底具有边缘和中心并包括在所述边缘和所述中心上的沉积的层，并且其中所述处理腔室包括设置在所述衬底上方的掩模；使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；将所述衬底的上表面在所述边缘处暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层；使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。2.如权利要求1所述的方法，其中从工艺气体产生所述等离子体，并且所述方法还包括通过至少改变所述工艺气体的流率、所述净化气体的流率或这两个流率来调整所述蚀刻轮廓。3.如权利要求1所述的方法，其中所述处理腔室还包括设置在所述衬底的周围和下方的边缘环，并且所述方法还包括通过等离子体暴露来加热所述边缘环并通过将热能从所述边缘环传递到所述边缘来加热所述边缘。4.如权利要求1所述的方法，其中定位在所述掩模的所述内表面上的所述两个或更多个开口包括三个、四个或五个开口。5.如权利要求1所述的方法，其中所述盖板设置在衬底支撑件上，并且其中所述盖板具有圆齿状的边缘。6.如权利要求1所述的方法，其中所述盖板包括环绕中心孔径的多个开口。7.如权利要求1所述的方法，其中所述边缘具有约0.5mm至约5mm的径向宽度。8.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底与所述掩模之间的距离小于100密耳。9.如权利要求1所述的方法，其中从包括N2、O2、NF3、Ar、He或以上项的任何组合的工艺气体产生所述等离子体，并且其中所述净化气体包括Ar、He或N2或以上项的任何组合。10.一种方法，所述方法包括：将衬底放置到处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并包括在所述边缘和所述中心上的沉积的层，并且其中所述处理腔室包括：边缘环，所述边缘环设置在所述衬底的周围和下方；以及掩模，所述掩模设置在所述衬底上方；使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；将所述衬底的上表面在所述边缘处暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层；使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓；以及通过等离子体暴露来加热所述边缘环并通过将热能从所述边缘环传递到所述边缘来2CN110914954A权利要求书2/2页加热所述边缘。11.如权利要求10所述的方法，其中从工艺气体产生所述等离子体，并且所述方法还包括通过至少改变所述工艺气体的流率、所述净化气体的流率或这两个流率来调整所述蚀刻轮廓。