GaNAlGaN基紫外探测器研究的中期报告.docx
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GaNAlGaN基紫外探测器研究的中期报告近年来,随着紫外光通讯、卫星遥感、荧光检测等应用领域的不断拓展,紫外探测技术变得越来越重要。其中,氮化镓(GaN)是一种优秀的半导体材料,其能带宽度宽、电子迁移率高等优点使得其在紫外探测领域有广泛应用前景。本文旨在介绍基于GaNAlGaN材料体系研制的紫外探测器的中期研究进展,主要包括以下几个方面。一、GaNAlGaN材料体系的制备目前,GaNAlGaN材料体系的制备主要有金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等方法。通过优化制备工艺和材料的配比
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GaNAlGaN基紫外探测器研究的综述报告GaNAlGaN基紫外探测器是一种利用氮化物半导体材料制成的高性能光电探测器。由于氮化物半导体具有宽带隙、高电子迁移率、高热稳定性等优良特性,因此GaNAlGaN基紫外探测器在紫外光谱区域具有广泛的应用前景。本文将对GaNAlGaN基紫外探测器的研究进展进行综述。首先,我们将介绍GaNAlGaN基紫外探测器的结构以及工作原理。该探测器的基本结构由p型GaN、n型AlGaN和多量子阱组成。其中,多量子阱是由GaN和AlGaN交替堆积的异质结构,它可以限制空穴和电子的
GaNAlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究的中期报告.docx
GaNAlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究的中期报告本中期报告旨在介绍GaNAlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究进展。1.氮化镓外延生长我们使用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在氮化铝(AlN)模板上生长氮化镓(GaN)外延层。通过优化生长参数,成功制备了高质量的GaN外延层。2.GaNAlGaN异质结构制备在GaN外延层上,我们利用低压气相沉积(LP-MOCVD)技术生长了厚度为80nm的AlGaN阻挡层,厚度为20nm的AlN隔离层以及厚度为200nm的AlGaN感光层。通过控制
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GaN基紫外探测器辐照效应的研究的中期报告本研究旨在探究GaN基紫外探测器辐照效应的机理和特性。在前期研究中,我们采用了离子注入的方法制备了GaN基紫外探测器,并对其进行了一系列性能测试。结果表明,该探测器具有良好的光电特性和较高的紫外光响应度。在本阶段的研究中,我们主要对该探测器在不同剂量和能量的质子辐照下的响应性能进行了研究。实验结果表明,随着质子辐照剂量的增加,探测器的响应度逐渐下降,特别是在高能质子的辐照下,探测器的响应度下降更为明显。同时,我们还发现,在较高能量的质子辐照下,探测器的噪声电流显著
GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究的中期报告.docx
GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究的中期报告本研究旨在设计和研究GaN基RCE(ResonantCavityEnhanced)紫外探测器,并研究其光敏区器件特性。本中期报告主要介绍了研究的进展和取得的成果,具体内容如下:一、研究进展1.完成GaN基RCE紫外探测器的设计根据文献资料及实验需要,我们设计了一种基于GaN材料的RCE紫外探测器。该探测器的结构如图1所示,它采用了具有三层反射镜的ResonantCavity结构,能够提高探测效率和响应度。2.完成光生电流测试系统的建立我们建立了一套新的