GaNAlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究的中期报告.docx

GaNAlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究的中期报告
本中期报告旨在介绍GaNAlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究进展。
1.氮化镓外延生长
我们使用金属有机化学气相外延（MOCVD）技术在氮化铝（AlN）模板上生长氮化镓（GaN）外延层。通过优化生长参数，成功制备了高质量的GaN外延层。
2.GaNAlGaN异质结构制备
在GaN外延层上，我们利用低压气相沉积（LP-MOCVD）技术生长了厚度为80nm的AlGaN阻挡层，厚度为20nm的AlN隔离层以及厚度为200nm的AlGaN感光层。通过控制AlGaN的Al浓度和厚度，优化了异质结构的性能。
3.探测器性能研究
通过紫外-可见-近红外谱仪和光电流-光电压测试系统对探测器的性能进行了测试。测得探测器的响应波长为255nm，峰值响应为0.15A/W，暗电流密度为1.3nA/cm2，噪声当量为1.8×10-14A/Hz1/2，显示了优异的光电性能。
4.下一步工作
我们将继续优化GaNAlGaN异质结构的生长参数和结构设计，以进一步提高探测器的性能。同时，我们将研究探测器的稳定性和可靠性，并探索其在环境监测、生物医学和安防等领域的应用。