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GaN基紫外探测器辐照效应的研究的中期报告
本研究旨在探究GaN基紫外探测器辐照效应的机理和特性。在前期研究中，我们采用了离子注入的方法制备了GaN基紫外探测器，并对其进行了一系列性能测试。结果表明，该探测器具有良好的光电特性和较高的紫外光响应度。
在本阶段的研究中，我们主要对该探测器在不同剂量和能量的质子辐照下的响应性能进行了研究。实验结果表明，随着质子辐照剂量的增加，探测器的响应度逐渐下降，特别是在高能质子的辐照下，探测器的响应度下降更为明显。同时，我们还发现，在较高能量的质子辐照下，探测器的噪声电流显著增加，进一步影响了其性能。
为了进一步探究辐照效应的机理，我们对辐照后的探测器进行了光致发光（PL）和X射线光电子能谱（XPS）分析。实验结果显示，随着质子辐照剂量的增加，探测器的表面形貌和晶体结构出现了一定程度的变化，并且发现了一些新的缺陷态。这些变化可能是导致探测器性能下降的主要原因。
综合实验结果，我们认为质子辐照会导致GaN基紫外探测器中的缺陷态增多，从而影响其性能。未来的研究将继续探究其他因素对GaN基紫外探测器性能的影响，并寻求有效的缺陷控制和修复方法，从而实现该探测器的稳定性能和可靠应用。