GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究的中期报告.docx
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GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究的中期报告本研究旨在设计和研究GaN基RCE(ResonantCavityEnhanced)紫外探测器,并研究其光敏区器件特性。本中期报告主要介绍了研究的进展和取得的成果,具体内容如下:一、研究进展1.完成GaN基RCE紫外探测器的设计根据文献资料及实验需要,我们设计了一种基于GaN材料的RCE紫外探测器。该探测器的结构如图1所示,它采用了具有三层反射镜的ResonantCavity结构,能够提高探测效率和响应度。2.完成光生电流测试系统的建立我们建立了一套新的
GaN基紫外探测器辐照效应的研究的中期报告.docx
GaN基紫外探测器辐照效应的研究的中期报告本研究旨在探究GaN基紫外探测器辐照效应的机理和特性。在前期研究中,我们采用了离子注入的方法制备了GaN基紫外探测器,并对其进行了一系列性能测试。结果表明,该探测器具有良好的光电特性和较高的紫外光响应度。在本阶段的研究中,我们主要对该探测器在不同剂量和能量的质子辐照下的响应性能进行了研究。实验结果表明,随着质子辐照剂量的增加,探测器的响应度逐渐下降,特别是在高能质子的辐照下,探测器的响应度下降更为明显。同时,我们还发现,在较高能量的质子辐照下,探测器的噪声电流显著
GaN基紫外探测器材料与结构研究的开题报告.docx
GaN基紫外探测器材料与结构研究的开题报告一、选题背景及研究现状随着人们对紫外光谱段的关注度增加,紫外探测器的需求也相应地增加。其中,GaN基紫外探测器具有良好的优点,如宽带隙、高电子迁移率以及良好的机械稳定性等,使得其成为应用前景广阔的探测器材料。然而,目前GaN基紫外探测器在注入级联器件(IC)上的表现尚未得到有效解决。因此,如何提高GaN基紫外探测器的性能和解决其在IC上的表现问题成为了该领域研究的重点。二、研究内容本次研究的主要内容是通过对GaN基紫外探测器材料与结构的研究,提高其性能,并寻求其在
GaN基MMIC器件模型研究的中期报告.docx
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GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告.docx
GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告本文将对GaN的制备以及GaN基肖特基器件的中期报告进行介绍。1.GaN的制备GaN是一种优良的电子材料,具有高的电子迁移率、高的热稳定性、高的能隙以及优良的光学性能等特点。目前,GaN的制备主要有以下几个方法:(1)化学气相沉积法(CVD)CVD是一种常用的制备GaN的方法,通过将氨气和三甲基镓或三甲基铝在高温下反应,从而制备出GaN薄膜。该方法可以在不同的基片上制备出GaN薄膜,如蓝宝石、石英和Si等。(2)分子束外延法(MBE)MBE是一种将纯净金属材料以分