一种镀膜设备及镀膜方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109023273A(43)申请公布日2018.12.18(21)申请号201810884395.4(22)申请日2018.08.06(71)申请人信阳舜宇光学有限公司地址464000河南省信阳市平桥工业园新科大道88号(72)发明人陈策丁维红肖念恭陈吉利(74)专利代理机构北京谨诚君睿知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11538代理人陆鑫延慧(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/46(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/08(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称一种镀膜设备及镀膜方法(57)摘要本发明涉及一种镀膜设备及镀膜方法，其中镀膜设备包括真空室(1)，设置在所述真空室(1)中的靶材基座(11)和基底夹具(12)，所述靶材基座(11)设置于所述基底夹具(12)的上方；还包括电极切换装置(13)；所述电极切换装置(13)与所述靶材基座(11)相互连接，且所述靶材基座(11)为偶数个。通过交替变换溅射靶材的电极性，从而实现本发明在镀膜过程中，使带正电荷的等离子体轮流轰击电极性为阴极的溅射靶材，从而避免的长时间轰击同一个溅射靶材而导致溅射靶材“中毒”，进而避免了在镀膜过程中，溅射靶材的失效，有效提高了溅射靶材的使用寿命，并且进一步提高了镀膜设备的镀膜效率。CN109023273ACN109023273A权利要求书1/2页1.一种镀膜设备，包括真空室(1)，设置在所述真空室(1)中的靶材基座(11)和基底夹具(12)，所述靶材基座(11)设置于所述基底夹具(12)的上方；其特征在于，还包括电极切换装置(13)；所述电极切换装置(13)与所述靶材基座(11)相互连接，且所述靶材基座(11)为偶数个。2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述靶材基座(11)上设置有线性位移装置；沿竖直方向，所述线性位移装置驱动所述靶材基座(11)往复移动。3.根据权利要求1或2所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：设置于所述真空室(1)中与所述靶材基座(11)相邻且用于提供并增强所述靶材基座(11)位置等离子体运动速度的射频发生器(14),以及设置与所述真空室(1)外部且与所述靶材基座(11)相对的交变磁场装置(19)。4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：设置在所述真空室(1)上的离子源(15)和抽气装置(16)，用于向所述真空室(1)中通入气体的进气管(17)，用于抽取所述真空室(1)中气体的出气管(18)；所述进气管(17)包括用于输送惰性气体的第一进气管(171)和用于通入反应气体的第二进气管(172)。5.根据权利要求4所述的镀膜设备，其特征在于，所述进气管(17)与所述出气管(18)相对设置。6.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述电极切换装置(13)为交流电极切换装置。7.一种采用权利要求1至6任一所述镀膜设备的镀膜方法，包括：S1.在真空室(1)中分别安装溅射靶材和基底，并将真空室(1)中的压力控制在预设压力值；S2.向所述真空室(1)通入惰性气体，并将所述惰性气体电离后轰击所述溅射靶材和所述基底的表面进行预处理；S3.向所述真空室(1)中通入反应气体，在所述基底上镀制膜层，其中，以预设周期交替变换所述溅射靶材的电极性。8.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述惰性气体和所述反应气体通入的体积流量小于120sccm。9.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，所述反应气体为氢气或氧气；若所述反应气体为氢气，则所述氩气与所述氢气的体积流量满足0.2≤VH2/VAr≤0.5，其中，所述VH2为氢气的体积流量，所述VAr为氩气的体积流量。10.根据权利要求9所述的镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，在所述基底上镀制膜层时，其溅射反应温度为80℃～300℃，溅射速率V满足：0.1nm/s≤V≤1nm/s。11.根据权利要求7或10所述的镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，所述膜层包括IR带通膜层和AR长波通膜层，所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别镀制在所述基底相对的两侧；2CN109023273A权利要求书2/2页所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别采用第一折射率材料、第二折射率材料、第三折射率材料中的两种或三种交替镀制而成，其中，所述第一折射率材料的折射率小于3，所述第二折射率材料的折射率大于3，所述第三折射率材料的折射率小于4。12.根据权利要求11所述的镀膜方法，其特征在于，所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别与所述基底连接的一层采用所述第一折射率材料或所述第三折射率材料镀制；所述IR带通膜层和所