镀膜设备及其镀膜方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112981374A(43)申请公布日2021.06.18(21)申请号202010517204.8(22)申请日2020.06.09(66)本国优先权数据201911310683.X2019.12.18CN(71)申请人江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司地址214000江苏省无锡市惠山经济开发区玉祁配套区东环路182号(72)发明人宗坚(74)专利代理机构宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙)33244代理人罗京张冉冉(51)Int.Cl.C23C16/513(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书3页说明书22页附图14页(54)发明名称镀膜设备及其镀膜方法(57)摘要本发明提供一种镀膜设备及镀膜方法，所述镀膜装置包含一反应腔，一支撑架，一单体释放源以及一等离子激发源。所述支撑架具有一支撑区以供支撑所述基材。所述单体释放源具有一释放进口以供引出一膜层形成材料进入所述反应腔。所述等离子激发源被安置以供激活所述膜层形成材料，其中所述支撑架的所述支撑区被定位于介于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面，且沉积速度加快。CN112981374ACN112981374A权利要求书1/3页1.一镀膜装置，用于在一基材表面形成膜层，包括：一腔室体，其具有一反应腔，其中所述腔室体具有一基材定位区以供放置该基材；一单体释放源，其具有一释放进口，以供引入一膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔；以及一等离子激发源，被置于所述腔室体的所述反应腔，以供激发该膜层形成材料，其中该基材定位区位于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，以一种该基材适于被布置于所述单体释放源和所述等离子激发源之间的方式。2.根据权利要求1所述的镀膜装置，进一步包括一支撑架以供支撑该基材，其中所述支撑架适于被放置于所述腔室体的该基材定位区。3.根据权利要求1所述的镀膜装置，进一步包括一支撑架以供支撑该基材，其中所述支撑架被安装至所述腔室体的该基材定位区。4.根据权利要求1所述的镀膜装置，进一步包括一支撑架以供支撑该基材于所述腔室体的该基材定位区，其中所述支撑架被操作而移动于所述腔室体的所述反应腔中所述单体释放源和所述等离子激发源之间。5.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源的放电方式选自以下组合中的一种或多种：直流放电，交流放电，音频放电，射频放电，微波放电，中频放电，潘宁放电，火花放电和脉冲放电。6.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述镀膜装置进一步包括一单体供应单元，所述单体供应单元进一步包括一材料储存器，用于存储该膜层形成材料的原材料，一汽化器，以供汽化原材料而形成汽态单体的该膜层形成材料。7.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述镀膜装置进一步包括一单体供应单元，所述单体供应单元进一步包括一材料储存器被连通于所述单体释放源，用于存储气态单体的该膜层形成材料。8.一镀膜装置，用于在一基材表面形成膜层，包括：一腔室体，具有一反应腔；一支撑架具有一支撑区，以供支撑该基材于所述腔室体的所述反应腔；一单体释放源，具有一释放进口，以供引入一膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔；以及一等离子激发源被放置于所述腔室体的所述反应腔，以供激发该膜层形成材料，其中所述支撑架的所述支撑区位于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，以一种该基材适于被布置于所述单体释放源和所述等离子激发源之间的方式。9.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述支撑架被安装于所述腔室体的所述反应腔中所述单体释放源和所述等离子激发源之间。10.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述支撑架被操作而移动于所述腔室体的所述反应腔中所述单体释放源和所述等离子激发源之间。11.根据权利要求10所述的镀膜装置，其中所述支撑架的移动被选自以下组合中的一种或多种：线性运动，曲线运动，滑动运动和旋转运动。12.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源被安装于所述腔室体并与所述单体释放源相间隔。2CN112981374A权利要求书2/3页13.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源被安装于所述支撑架并且位于相对于所述单体释放源的所述支撑架的一侧。14.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述腔室体具有两面相对的侧壁，其中所述单体释放源和所述等离子激发源被分别地置于邻近所述腔室体的所述反应腔的相互对应的两侧壁的位置。15.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述腔室体具有一侧壁，其中所述单体释放源和所述等离子激发源被置于所述腔室体的所述反应腔的邻近所述腔室体的所述侧壁并相间隔。16.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中所述腔室