镀膜设备及其镀膜方法.pdf
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镀膜设备及其镀膜方法.pdf
一镀膜装置包括一具有一反应腔的腔室体,一支撑架,一单体释放源以及一等离子激发源。所述单体释放源具有至少一释放进口用于引入膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔。所述等离子激发源被配置于所述腔室体的所述反应腔以激发所述膜层形成材料。所述支撑架被设置以支撑一基材,其中所述支撑架被操作地在所述反应腔内移动,以引导所述基材交替地移动靠近所述单体释放源和所述等离子激发源,以避免所述膜层形成材料过度分解。
镀膜设备及其镀膜方法.pdf
镀膜装置,用于涂覆多个基材,包括一具有一反应腔的腔室体,一支撑架,一单体释放源以及一等离子激发源。所述单体释放源具有至少一释放进口用于引入膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔。所述等离子激发源被配置于所述腔室体的所述反应腔的一中间区域以激发所述膜层形成材料,其中多个所述基材被适应性地布置于在所述腔室体内的所述等离子激发源的周围,以增加在所述基材的所述表面的镀膜均匀性和提供沉积速度。
镀膜设备及其镀膜方法.pdf
镀膜设备及镀膜方法,所述镀膜装置,用于涂覆一基材,包括:一腔室体,具有一反应腔;一支撑架,其具有一支撑区,以供支撑所述基材于所述腔室体的所述反应腔;一单体释放源,具有一释放进口,以供引入一膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔;以及一等离子激发源,其被放置于所述腔室体的所述反应腔,以供激发所述膜层形成材料,其中所述支撑架可移动地设置在所述反应腔中,并且该基材随着所述支撑架一起移动以形成该基材的一移动路径,其中在至少一部分所述移动路径期间,该基材位于所述单体释放源与所述等离子激发源之间,使得所述膜层被均匀地
镀膜设备及其镀膜方法.pdf
本发明提供一种镀膜设备及镀膜方法,所述镀膜装置包含一反应腔,一支撑架,一单体释放源以及一等离子激发源。所述支撑架具有一支撑区以供支撑所述基材。所述单体释放源具有一释放进口以供引出一膜层形成材料进入所述反应腔。所述等离子激发源被安置以供激活所述膜层形成材料,其中所述支撑架的所述支撑区被定位于介于所述单体释放源和所述等离子激发源之间,使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面,且沉积速度加快。
镀膜设备及其控制方法.pdf
本申请涉及一种镀膜设备及其控制方法,包括反应腔和抽气系统,反应腔具有排气部,抽气系统包括排气管阀组件、第一泵体及第二泵体,第一泵体的入口侧和第二泵体的入口均经由排气管阀组件连接至排气部,第一泵体的出口侧连通大气,其中,第二泵体的真空度大于第一泵体的真空度,且第二泵体的出口侧经由排气管阀组件连接至第一泵体的入口侧。本申请通过第二泵体能够实现较高真空度的要求,强化反应腔内挥发性有机物质、湿气等杂质的抽离,提高反应腔的洁净度,减小薄膜中的杂质含量,提高所制备的薄膜质量。同时,第一泵体的设置不仅可以降低第二泵体的