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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109262447A(43)申请公布日2019.01.25(21)申请号201710723477.6(22)申请日2017.08.22(30)优先权数据15/652,2442017.07.18US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(72)发明人茅一超张进传林俊成张文华(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人顾伯兴(51)Int.Cl.B24B37/11(2012.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图7页(54)发明名称研磨元件、研磨轮及使用研磨轮制造半导体封装的方法(57)摘要提供一种安装在研磨轮上的研磨元件以及一种含有所述研磨元件的研磨轮用于进行研磨。所述研磨元件包括研磨齿,且所述研磨齿包含研磨材料,所述研磨材料具有框架结构以及分布在所述框架结构中的孔隙。所述框架结构包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔径大于40微米但小于70微米。还提供一种使用所述研磨轮制造半导体封装的方法。CN109262447ACN109262447A权利要求书1/1页1.一种研磨轮的研磨元件,其特征在于,包括:研磨齿,包含研磨材料,所述研磨材料具有框架结构,包含磨料微粒及粘合所述磨料微粒的粘合材料,以及孔隙,分布在所述框架结构中,其中所述孔隙的孔径大于40微米且小于70微米。2CN109262447A说明书1/8页研磨元件、研磨轮及使用研磨轮制造半导体封装的方法背景技术[0001]研磨是用于薄化半导体晶片的管芯并减小半导体封装的厚度的一种最常用的技术。由于许多集成电路及电子装置是自半导体晶片制造而成,因此受控良好的晶片薄化或封装薄化对装置性能及可靠性是有利的且有价值的。发明内容[0002]一种研磨轮的研磨元件包括研磨齿。所述研磨齿包含研磨材料。所述研磨材料具有:框架结构,包含磨料微粒及粘合所述磨料微粒的粘合材料;以及孔隙,分布在所述框架结构中。所述孔隙的孔径大于40微米且小于70微米。附图说明[0003]结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。[0004]图1A是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的示意性仰视图。[0005]图1B是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的一部分的示意性三维图。[0006]图1C是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的一部分的示意性剖视图。[0007]图1D是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的研磨齿的一部分的示意性放大剖视图。[0008]图2是示出在根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造工艺中,待研磨的晶片之上的研磨轮的相对研磨轨迹的示意性俯视图。[0009]图3A至图3H是在根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造工艺中的各阶段的示意性剖视图。[0010]图4A至图4B是根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的研磨齿的大孔隙研磨材料的局部微观图。[0011]图5A至图5B是研磨轮的研磨齿的对比研磨材料的局部微观图。[0012]符号的说明[0013]30:半导体封装[0014]100:研磨轮[0015]102:环形金属基底[0016]102a:环形金属基底的底表面[0017]103:外缘部分[0018]104:内缘部分[0019]105:孔[0020]110:研磨齿[0021]110a:研磨齿的下表面/接触表面3CN109262447A说明书2/8页[0022]302:载体[0023]304:缓冲层[0024]310:芯片[0025]310a:有源表面[0026]312:接垫[0027]314:金属柱[0028]316:介电材料[0029]320:层间穿孔[0030]320a:层间穿孔的顶表面[0031]350:模制化合物[0032]350a:模制化合物的顶表面[0033]360:重布线层[0034]370:导电元件[0035]380:载体膜[0036]1100:研磨材料[0037]1102:磨料微粒[0038]1104:粘合材料[0039]CA:接触区域[0040]P:节距[0041]PV:孔隙[0042]W:晶片具体实施方式[0043]以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然,这些仅为实例且不旨在进行限制。例如,以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二