一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置.pdf
英瑞****写意
亲,该文档总共19页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置.pdf
本发明涉及晶圆生产制造附属装置的技术领域,特别是涉及一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置,其可以使多组晶圆放置规整,防止多组晶圆相互叠放,使化学溶液在对多组晶圆进行冲洗的过程中与多组晶圆表面上的三氧化二铝和甘油混合液接触反应更加充分,提高化学刻蚀效果;其使用后的化学溶液可以进行收集储存处理,降低使用局限性;包括过渡箱、底板、顶板、左支撑板、右支撑板、左弧形板、右弧形板、左放置板、右放置板、前支撑轴、后支撑轴、带动轴、上支撑轴、左卡板、右卡板、左安装板、右安装板、两组左安装螺栓、两组右安装螺栓、收集箱、两组左滑轮
一种用于晶圆生产刻蚀的深度控制装置.pdf
本发明涉及晶圆生产附属装置的技术领域,特别是涉及一种用于晶圆生产刻蚀的深度控制装置,其方便对晶圆刻蚀的深度进行控制调节操作,同时提高深度调节精确度,提高使用可靠性;并且提高刻蚀机在支撑板上的稳定性,提高实用性;包括刻蚀机和支撑板;包括放置板、左刻度板、右刻度板、左调节板、右调节板、左定位板、右定位板、左螺纹杆、右螺纹杆、左螺纹管、右螺纹管、左大齿轮、右大齿轮、左支撑轴、右支撑轴、左带动轴、右带动轴、左大锥齿轮、右大锥齿轮和四组定位滑柱;还包括左顶紧块、右顶紧块、压板、顶板、调节丝杠、上锁紧螺母和下锁紧螺母
一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法.pdf
本发明提供一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法,刻蚀腔体提供包含HBr的刻蚀气体,以对晶圆进行刻蚀;热处理腔体包括加热系统及排气系统,且热处理腔体的工作温度不小于刻蚀腔体的工作温度,晶圆经刻蚀腔体刻蚀后,进入热处理腔体,并通过加热系统及排气系统排除晶圆表面残留的HBr。通过包括加热系统及排气系统的热处理腔体,在晶圆没有降温的前提下,去除晶圆表面残留的HBr,从而减少氢溴酸对半导体设备的腐蚀,使半导体设备的寿命得以延长;减少晶圆表面HBr凝结的产生,提供产品质量。
一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置.pdf
本发明涉及湿法刻蚀技术领域,尤其涉及一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置,包括至少一个酸碱槽,用于盛放酸碱液,以对晶圆进行湿法刻蚀;若干齿轮,设置于所述酸碱槽的底部,所述齿轮的齿口尺寸与所述晶圆的厚度匹配,以用于咬合所述晶圆;制动装置,与所述齿轮连接,以驱动所述齿轮带动所述晶圆旋转,使所述晶圆在放入和取出所述酸碱槽的过程中各部位接触所述酸碱液的时间一致,以提高所述晶圆的表面平整度。
一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法,包括:步骤S1,提供一铝衬垫,于铝衬垫上制备具有暴露铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构,且复合结构的上表面及接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层;步骤S2,采用等离子体刻蚀接触孔的侧壁上覆盖的含氟聚合物层;步骤S3,刻蚀去除复合结构的上表面覆盖的含氟聚合物层;步骤S4,对暴露出的接触孔和复合结构进行清洗;上述技术方案能够排除接触孔侧壁及复合结构的上表面残留的聚合物对铝衬垫的影响,从而改善晶圆表面的缺陷情况。