一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109360852A(43)申请公布日2019.02.19(21)申请号201810919488.6(22)申请日2018.08.14(71)申请人上海芯石微电子有限公司地址201605上海市松江区新浜镇新绿路398号(72)发明人薛维平关世瑛(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法(57)摘要很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。CN109360852ACN109360852A权利要求书1/1页1.一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构，其结构包括：矩形结构101和圆角结构102，圆角半径长度103小于1/2减薄厚度105，减薄厚度105小于150微米。2.一种降低芯片减薄碎片率的方法，其方法包括：A、硅片制备，拉单晶、切片、倒角、抛光，倒角边缘为圆角矩形，圆角半径根据最终减薄厚度确定；B、芯片制备，通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能；C、减薄、封装、测试，减薄时，硅片边缘始终和减薄金刚砂轮成90度直角，降低减薄碎片率，且减薄完成后，硅片边缘厚度大，降低后续工艺碎片风险。2CN109360852A说明书1/2页一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法技术领域[0001]本发明属于一种硅片倒角结构及方法，此发明适用于降低芯片减薄碎片率。背景技术[0002]很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。发明内容[0003]1、一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构，其结构包括：矩形结构101和圆角结构102，圆角半径长度103小于1/2减薄厚度105，减薄厚度105小于150微米。[0004]2、一种降低芯片减薄碎片率的方法，其方法包括：A、硅片制备，拉单晶、切片、倒角、抛光，倒角边缘为圆角矩形，圆角半径根据最终减薄厚度确定；B、芯片制备，通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能；C、减薄、封装、测试，减薄时，硅片边缘始终和减薄金刚砂轮成90度直角，降低减薄碎片率，且减薄完成后，硅片边缘厚度大，降低后续工艺碎片风险。附图说明[0005]图1是此硅片倒角结构的截面图；图2是圆形倒角结构硅片的界面图。[0006]编号说明：101：硅片矩形结构；102：圆角结构；103：圆角半径；104：减薄的位置；105：减薄的厚度，厚度小于150微米，此结构的优点尤为突出；201：圆形倒角硅片减薄后硅片边缘位置，有锐角结构，容易崩边。具体实施方式[0007]1．硅片制备，拉单晶、切片、倒角、抛光，倒角边缘为圆角矩形，圆角半径根据最终减薄厚度确定。3CN109360852A说明书2/2页[0008]2．芯片制备，通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能。[0009]3．减薄、封装、测试，减薄时，硅片边缘始终和金刚砂轮成90度直角，降低减薄碎片率，且减薄完成后，硅片边缘厚度大，降低后续工艺碎片风险，普通圆形倒角硅片，减薄到后面是锐角边缘，容易崩边、碎片。[0010]通过上述实施例阐述了本发明，同时也可以采用其它实施例实现本发明。本发明不局限于上述具体实施例，因此本发明有所附权利要求范围限定。4CN109360852A说明书附图1/1页图1图25