芯片厚度减薄的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104637787A(43)申请公布日2015.05.20(21)申请号201510046630.7(22)申请日2015.01.29(71)申请人吉林华微电子股份有限公司地址132013吉林省吉林市深圳街99号(72)发明人时新越李彦庆叶武阳张海宇(74)专利代理机构长春菁华专利商标代理事务所22210代理人陶尊新(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称芯片厚度减薄的方法(57)摘要芯片厚度减薄的方法，涉及微电子芯片生产制造领域，解决现有芯片减薄方法存在碎片率高且不易量产的问题，采用DFG821型号的减薄机对芯片进行减薄，所述减薄机的Z2单元使用2000目磨轮，将芯片减薄至150μm；设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H-60μm，第二刀切割后芯片厚度为H-90μm，然后对第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为150μm的芯片；对减薄的芯片进行粘贴衬片，并将粘贴衬片的芯片进行腐蚀，获得减薄后厚度为60μm至100μm的芯片；本发明方法同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可通过粘贴衬片方式腐蚀实现。CN104637787ACN104637787A权利要求书1/1页1.芯片厚度减薄的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、采用DFG821型号的减薄机的细磨单元对芯片进行减薄，使芯片厚度减薄至150μm；设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H-60μm，第二刀切割后芯片厚度为H-90μm，然后对所述第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为150μm的芯片；步骤二、对步骤一中减薄的芯片进行粘贴衬片，并将粘贴衬片的芯片进行腐蚀，获得减薄后厚度为60μm至100μm的芯片；具体过程为：在减薄后的芯片表面粘贴衬片，在所述衬片的背面中心区域蘸水，将衬片与芯片贴合后作为样片，采用背面轨道式腐蚀机对所述样片进行腐蚀，获得减薄后的芯片。2.根据权利要求1所述的芯片厚度减薄的方法，其特征在于，步骤一减薄机磨单元的磨轮目数为大于等600目小于等于1000目。3.根据权利要求1所述的芯片厚度减薄的方法，其特征在于，采用背面轨道式腐蚀机对所述样片进行腐蚀的过程为：采用一次腐蚀溶液对样片进行一次腐蚀，设定腐蚀时间为85～90秒，腐蚀转速650～750，间隔2秒后，采用二次腐蚀溶液进行二次腐蚀，设定腐蚀时间20～30秒，腐蚀转速350～450，然后进行冲水，时间为10～20秒，最后吹N2气，时间为5～15秒，取出减薄后的芯片。4.根据权利要求3所述的芯片厚度减薄的方法，其特征在于，所述一次腐蚀溶液按照份数比包括：20～30HNO3、15～25H2SO4、10～20HF和10～20H3PO4混合，所述二次腐蚀溶液按照份数比35～45HNO3、10～20H2SO4、1～7HF和15～25H3PO4。5.根据权利要求1所述的芯片厚度减薄的方法，其特征在于，在步骤二之后还包括揭衬片的步骤，将腐蚀后的芯片放在真空吸盘上，将刀片插入芯片与衬片间的缝隙，刀片绕样片一圈后芯片与衬片分离，采用镊子夹出减薄后的芯片。6.根据权利要求1所述的芯片厚度减薄的方法，其特征在于，所述衬片厚度为210～300μm。7.根据权利要求1所述的芯片厚度减薄的方法，其特征在于，在步骤一之前，还包括采用DFG821型号的减薄机粗磨单元对芯片进行减薄。2CN104637787A说明书1/4页芯片厚度减薄的方法技术领域[0001]本发明涉及微电子芯片生产制造领域，具体涉及一种使用减薄加衬片腐蚀加工超薄芯片的加工方法。背景技术[0002]近年来，随着网络技术的发展，要求电子设备及仪器功能多、可靠性高、体积小、便于携带，对器件外形尺寸要求越来越小。器件外形尺寸的微型化要求、封装结构形式的改进、以及为降低热阻，提高芯片的散热能力等诸方面的发展与进步。都相应的要求封装所用的芯片越来越薄，质量越来越高。在许多新兴半导体制造领域内，都需要超薄芯片(芯片厚度小于100um)。在这些领域中，芯片超薄化的发展趋势是很明显的。[0003]现有的芯片减薄方法多为机械磨削，即使用减薄机或抛光机进行减薄，减薄厚度受设备制约很大，常规减薄机或磨削机最多将芯片减薄到200um，且存在碎片率高情况，TTV不受控情况，薄片量产加工困难。现有实现超薄芯片有两种方法：一、使用双面膜粘贴衬片方法减薄，还需引入粘片、揭片设备，不仅工艺复杂，同时设备价格需要上千万元；二、使用新型减薄机、或减薄前进行磨边，设备价格都在上千万元；发明内容[0004]本发明为解决现有芯片减薄方法存在碎片率高且不易量产的问题，提供一种芯片厚度减薄的方法。[0005]芯片