晶圆组件及晶圆对准方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109411449A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201811392941.9(22)申请日2018.11.21(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人周云鹏(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅(51)Int.Cl.H01L23/544(2006.01)H01L21/68(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图7页(54)发明名称晶圆组件及晶圆对准方法(57)摘要本发明提供了一种晶圆组件及晶圆对准方法，晶圆组件包括：工艺晶圆，所述工艺晶圆上分布有至少一个第一对准标记；以及承载晶圆，所述承载晶圆上分布有至少一个第二对准标记，所述第二对准标记用于对所述第一对准标记进行匹配以实现工艺晶圆与承载晶圆的对准，所述第二对准标记的外轮廓周长≥200μm，且所述第二对准标记的面积≥800μm2。通过做大承载晶圆上的第二对准标记，相应的第二对准标记外轮廓周长和面积也增大，使得第二对准标记的识别更加容易，提高了对准标记的识别效率，进而可提高两晶圆的键合效率。同时，承载晶圆是用于对工艺晶圆进行支撑，其上可以不分布功能图案，所以做大第二对准标记也不影响承载晶圆的有效面积的利用。CN109411449ACN109411449A权利要求书1/1页1.一种晶圆组件，其特征在于，包括：工艺晶圆，所述工艺晶圆上分布有至少一个第一对准标记；以及承载晶圆，所述承载晶圆上分布有至少一个第二对准标记，所述第二对准标记用于对所述第一对准标记进行匹配以实现工艺晶圆与承载晶圆的对准，所述第二对准标记的外轮廓周长≥200μm，且所述第二对准标记的面积≥800μm2。2.如权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于，所述第二对准标记的外轮廓周长为201μm～2309μm，且所述第二对准标记的面积为1340μm2～64000μm2。3.如权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于，所述第一对准标记和所述第二对准标记为相对于相互垂直的两个轴均对称的轴对称结构，所述工艺晶圆与承载晶圆对准时所述第二对准标记的中心与所述第一对准标记的中心相互重合。4.如权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于，所述第一对准标记包括三角形图案或条形图案。5.如权利要求4所述的晶圆组件，其特征在于，所述第一对准标记包括至少两个三角形图案，或者，所述第一对准标记包括相互交叉的条形图案。6.如权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于，所述第二对准标记包括三角形图案和/或条形图案。7.如权利要求6所述的晶圆组件，其特征在于，所述第二对准标记包括相互交叉的两个条形图案；或者，所述第二对准标记包括内标记和包围所述内标记的外标记，所述内标记包括相互交叉的条形图案或呈阵列分布的三角形图案，所述外标记包括多个呈环形排列的条形图案，或者，所述第二对准标记包括呈阵列分布的三角形图案。8.如权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于，所述承载晶圆上分布有两个所述第二对准标记，且两个所述第二对准标记关于所述承载晶圆的一直径对称分布。9.如权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于，所述晶圆组件是背照式CMOS图像传感器。10.一种晶圆对准方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至9中任一项所述的工艺晶圆和承载晶圆；以及识别所述第一对准标记和第二对准标记，并将所述第一对准标记和第二对准标记进行匹配，以实现所述工艺晶圆与承载晶圆的对准。2CN109411449A说明书1/6页晶圆组件及晶圆对准方法技术领域[0001]本发明属于半导体领域，具体涉及一种晶圆组件及晶圆对准方法。背景技术[0002]在半导体工艺中，通常需要将工艺晶圆与承载晶圆进行键合，其中，工艺晶圆是形成有各种功能器件，承载晶圆主要用于支撑工艺晶圆。工艺晶圆与承载晶圆是通过对准标记进行对准，然后再实现二者的键合。通常，对准标记是分布在工艺晶圆和承载晶圆的切割道上，以避免占用器件区的面积。以及，为有效利用晶圆的面积，通常切割道的尺寸都设计的较小，这样一来，分布在切割道上的对准标记的尺寸也较小，使得对准标记难以被识别。尤其是，承载晶圆主要用于起支撑作用，除对准标记外的很大一部分区域没有图案，如此一来，对准时没有参考图案用以辅助识别，导致承载晶圆上的对准标记的识别更加困难。发明内容[0003]本发明的目的在于，提供一种晶圆组件及晶圆对准方法以提升晶圆对准标记的识别效率。[0004]为了实现上述目的，本发明提供了一种晶圆组件，包括：[0005]工艺晶圆，所述工艺晶圆上分布有至少一个第一对准标记；以及[0006]承载晶圆，所述承载晶圆上分布有至少一个第二对准标记，所述第二对准标记用于对所述第一对准标记进